11-电子束直接金属成形技术.ppt

快速成形技术迄今已出现了几十种工艺，其中大部分工艺都可以制备复合材料，特别是对难加工的金属及陶瓷基复合材料，快速成形技术制备的零件后续加工余量小甚至不需要。 快速成形技术制备金属基复合材料主要有两条途径:第一条是用快速成形方法先制备陶瓷预制件，然后用压力浸渗或无压浸渗的方法将金属溶液浸渗到预制件中;第二条是将金属与陶瓷粉末混合均匀后，用高能束熔化金属粉末，直接制备出少无切削加工的颗粒增强金属基复合材料零件。 1 快速成形技术与SiCp/A1复合材料 采用快速成形技术制备SiCp/A1复合材料的研究报道大多集中于前言提到的第一条技术路线，即采用快速成形技术先制造出陶瓷预制件，然后浇注铝液得到。采用第二条技术路线直接得到SiCp/A1复合材料的报道则较少，主要有激光选区烧结制造技术和激光熔覆快速制造技术两种方法。 激光选区烧结快速制造技术中，金属粉末起到了粘结剂的作用，将陶瓷粉末粘结成形，烧结过程需要在惰性气体的保护下进行。从事激光选区烧结直接制备金属基复合材料的主要研究单位是瑞士联邦材料检测和研究实验室。 有色金属研究总院程晶等人则采用激光熔覆快速成形技术进行了这方面的尝试，他们基于快速成形原理，通过高功率激光熔化同轴输送的SiCp/Al复合粉末，可直接制备出具有一定几何形状的近致密的复合材料，但其可调节的功率范围很窄。 采用激光制备SiCp/A1复合材料存在的主要问题是: 铝合金对激光的反射率很高，并且铝的熔化潜热很高，不易熔化，所以需要足够高的能量密度才能产生熔池。而且熔池一旦形成，液态金属对激光的反射率迅速降低，从而使熔池温度急剧升高，导致铝的汽化及化学反应的发生，因而能量密度又不能过高，工艺参数较难控制。 以下将探讨的电子束烧结快速制造技术使用的电子束与激光一样同属高能量密度源。与激光不同的是，电子束加工具有无反射及在真空环境成形材料不会被氧化等优点，因而在制备SiCp/A1复合材料中不仅能克服激光熔覆工艺中铝合金不易熔化及熔化后反射率过低引起的温度升高等不利因素，而且可以有效避免铝合金熔液的氧化，是一种非常具有前途的SiCp/A1复合材料制造方法。 2 电子束烧结快速制备SiCP/Al复合材料 2.1 工艺路线 与传统的复合材料制备方法相比，电子束烧结快速制造技术提供了一种更为高效便捷的途径，其具体制备工艺路线如下:铝合金粉末和Sic颗粒首先按一定比例在真空球磨机上进行机械混合后送人专用的储料箱或送粉缸，然后采用辊子或刮平装置将送人到工作平台上的复合粉末在基板上均匀铺平，电子束在计算机的控制下按照扫描轮廓进行扫描烧结。烧结完毕后，工作台下降一定高度，进行下一层的烧结，层层堆积，最后得到整个零件。电子束烧结快速制造原理如图2所示。 图2 电子束烧结快速制造示意图 2.2 主要特点 采用电子束烧结快速制造技术制备SiCp/Al复合材料的特点主要有: (1)避免氧化。传统铸造法制造工艺中铝合金的氧化一直都是制约材料性能提高的一个重要因素，而电子束具有的真空环境正好可以避免铝合金的氧化。 (2)能量利用率高、无反射。与激光熔覆快速制造技术和激光烧结技术相比，铝合金对电子束的反射率几乎为零，大部分能量都被铝合金所吸收，不存在熔池温度急剧升高的可能性，进而Al与Sic反应生成脆相Al3C4的几率降低了，工艺参数选择范围大。 (3)可以制备任意体积分数的SiCp/Al复合材料。利用粉末冶金法的混粉工艺可以得到不同体积分数的SiCp/Al复合粉末，从而使得电子束烧结技术不仅可以制备出低体积分数的结构级复合材料，而且可以制备出中、高体积分数的光学级和电子级SiCp/Al 复合材料，在一台设备上可以制备多种体积分数的SiCp/Al复合材料。 (4)成形速度快。粉末冶金法采用的是固态烧结，烧结周期长，工艺复杂;电子束烧结采用的则是液相烧结，颗粒与基体的润湿性好，工艺流程短。 (5)任意形状件成形。电子束烧结快速制造技术可以成形复杂的中空耐热SiCp/Al 零件，通过电子束熔化金属粉末形成金属微滴并组装(堆积)，此微滴几乎可以成形任意形状的零件，成形件具有较高的精度，避免了脆性复合材料二次加工至所需形状的困难。 电子束选区烧结系统粉末 操纵装置 一、粉末操纵装置设计需求分析 电子束选区烧结系统由5个子系统构成。工艺控制子系统是整个系统的中枢,控制、协调系统各部分的工作以实现电子束选区烧结工艺;束流扫描子系统和粉末操纵子系统负责对系统中的物质流(粉末材料)进行处理,是工艺的最终执行部分;数据处理子系统负责系统中数据流的管理与维护,为控制驱动子系统提供数控文件;环境控制子系统为工艺提供必要的环境条件,如真空度、温度等。