第8章-半导体表面与MIS结构.pptVIP

第8章 半导体表面和MIS结构 本章重点： 表面态概念 表面电场效应 硅-二氧化硅系统性质 MIS结构电容-电压特性 表面电场对pn结特性的影响 8.1表面态 理想表面：表面层中原子排列的对称性与体内原子完全相同，且表面不附着任何原子或分子的半无限晶体表面。 晶体自由表面的存在使其周期场在表面处发生中断，同样也应引起附加能级。这种能级称作达姆表面能级。 悬挂键所对应的电子能态就是表面态 实际表面由于薄氧化层的存在，使硅表面的悬挂键大部分被二氧化硅层的氧原子所饱和，表面态密度大大降低。 此外表面处还存在由于晶体缺陷或吸附原子等原因引起的表面态；这种表面态的数值与表面经过的处理方法有关。 测量表明硅表面能级分两组，一组是施主能级，靠近价带；一组位受主能级，靠近导带。 8.2表面电场效应 理想MIS结构 （1）金属与半导体间的功函数差为零； （2）在绝缘层内没有任何电荷且绝缘层完全不导电； （3）绝缘体与半导体界面处不存在任何界面态。 8.2.1空间电荷层及表面势 空间电荷层：成因。 表面势：空间电荷层两端的电势差为表面势，以Vs表示之，规定表面电势比内部高时，Vs取正值；反之Vs取负值。 三种情况：多子堆积、多子耗尽和少子反型。 以p型半导体为例： 1.多数载流子堆积状态 金属与半导体表面加负压，表面势为负，表面处能带向上弯曲。 2.多数载流子耗尽状态 金属与半导体表面加正压，表面势为正，表面处能带向下弯曲，表面处空穴远低于体内空穴浓度。 3.少数载流子反型状态 当金属与半导体表面间正压进一步增大，表面处费米能级位置可能高于禁带中央能量，形成反型层。半导体空间电荷层的负电荷由两部分组成：耗尽层中已经电离的受主负电荷和反型层中的电子。 n 型半导体 金属与半导体间加正压，多子堆积； 金属与半导体间加不太高的负压，多子耗尽； 金属与半导体间加高负压，少子反型； 8.2.2表面空间电荷层的电场、电势和电容 规定x轴垂直于表面指向半导体内部，表面处为x轴原点。 采用一维近似处理方法。空间电荷层中电势满足泊松方程 其中 设半导体表面层仍可以使用经典分布，则在电势为V的x点（半导体内部电势为0），电子和空穴的浓度分别为 在半导体内部，电中性条件成立，故 即 带入可得 上式两边乘以dV并积分，得到 将上式两边积分，并根据 得 令 分别称为德拜长度 ，F函数。 则 式中当V大于0时，取“+”号；小于0时，取“-”号。 在表面处V=Vs，半导体表面处电场强度 根据高斯定理，表面电荷面密度Qs与表面处的电场强度有如下关系 带入可得 当金属电极为正，即Vs0，Qs用负号；反之Qs用正号。 在单位表面积的表面层中空穴的改变量为 因为 考虑到x=0，V=Vs和x=∞，V=0，则得 同理可得 微分电容 单位F/m2。 以p型半导体为例 1.多数载流子堆积状态 外加电压VG0，表面势和表面层内的电势均为负值，对于足够大的|Vs|和|V|，可得 表面电荷随表面势绝对值的增大按指数增大。 2.平带状态 外加电压VG=0，表面势Vs=0 对于表面空间电荷层电容 接近平带时，Vs趋近于0，则 对于p型半导体 3.耗尽状态 将LD带入上式，考虑到电离饱和时pp0=NA，则得 对于耗尽状态，也可用耗尽层近似来处理 边界条件x=xd，dV/dx=0 边界条件x=xd，V=0 令x=0，表面电势 带入上述表面电容公式，可得 表面耗尽层电容相当于一个距离为xd的平行板电容器的单位面积电容。进而可得 4.反型状态 表面少子浓度 当表面少子浓度ns=pp0，上式化为 另一方面，根据玻耳兹曼统计得 其中qVB=Ei-EF，可得强反型条件Vs≥2VB。 以pp0=NA带入上式，可得 则强反型条件也可以写为 对于与表面势Vs=2VB是金属板上的电压称为开启电压，用VT表示。此时 当qVsk0T 当Vs2VB，且qVsk0T 出现强反型，耗尽层宽度达到极大xdm xdm取决于材料的性质和掺杂浓度(图8-8) 与pn结耗尽层不同，一旦出现反型，xdm值不再变化。 5.深耗尽状态 平衡态：金属与半导体间所加的电压VG不变，或变化速率很慢以至表面空间电荷层中载流子浓度能跟上偏压VG的变化的状态。 非平衡态：深耗尽状态，表面空间电荷层中少数载流子的产生速率跟不上偏压VG的变化，反型层来不及建立，只有靠耗尽层延伸向半导体内深处而产生大量电离受主电荷以满足电中性条件。 可采用“耗尽层近似”研究。 从初始的深耗尽状态开始时的最大知道逐渐减小到强反型的最大耗尽层宽度，所经历的时间用热驰豫时间。 设初始的耗尽层宽度为xd0，耗