硅集成电路制造飞工艺一f.pptVIP

Silicon VLSI Technology 硅基大规模集成电路制作技术 集成电路的发展 单个器件的尺寸越来越小 晶片的尺寸越来越大 器件变小 减小光刻的特征线宽（Lateral feature size) 从设计上缩小器件的尺寸 设计功能强大，集成度更高的器件 Moore’s Law 半导体材料：硅 关键步骤或工艺 晶体生长 光刻 氧化 扩散 离子注入 蚀刻 薄膜生长 后道工艺 掩膜和套刻 Photolithography 氧化 薄膜生长 薄膜外延生长 刻蚀 离子注入 CMOS工艺 固体物理知识 半导体掺杂 PN Junction 二极管 MOS电容 nMOSFET, pMOSFET MOSFET MOSFET工作原理 晶片变大 硅晶的生产工艺提高，可以生成更大直径的晶体 薄膜生长，光刻，蚀刻等制作工艺的性能提高 制作生产线的改进 1960年以前，Ge和GaAs占半导体的主导地位。 1953年，Brattain 和 Bardeen发现可以利用氧气，水等使 半导体表面氧化； 1960年，高质量的SiO2直接生长在Si表面 1947年，第一个点接触式半导体器件（复合锗晶体）诞生，两年 后基于单晶硅的器件产生 硅还具有其它良好特性，自此以后成为半导体领域的主导者 Intel CPU的发展 例：Silicon IC 光刻 *