第三章基本电番子器件.pptVIP

3 三极管的主要参数 （1）共发射极电流放大系数b。 （2）集电极-基极反向饱和电流 。 （3）集电极-发射极穿透电流 。 （4)集电极最大允许电流 。 （5）集电极反向击穿电压 。 （6）集电极最大允许功耗 。 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 第三章 基 本 电 子 器 件 ——昨夜西凤凋碧树,独上高楼,望尽天涯路。 晏殊 基本内容：半导体的类型及导电，PN结与半导体二极管，半导体三极管及特性。 教学要求：掌握半导体的类型、PN结、二极管三极管的构成、原理。 本章重点：PN结与半导体二极管，半导体三极管及特性。 本章难点：半导体三极管及特性。 第一节 半导体的类型及导电性 第二节 PN结与半导体二极管 第三节 半导体三极管及特性 第一节 半导体的类型及导电性 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。 半导体的电阻率为 ～ ??cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 (1)本征半导体 本征半导体——化学成分纯净的半导体晶体。 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。它在物理结构上呈单晶体形态。 硅和锗是四价元素，在原子最外层轨道上的四个电子称为价电子。它们分别与周围的四个原子的价电子形成共价键。共价键中的价电子为这些原子所共有，并为它们所束缚，在空间形成排列有序的晶体。 这种结构的立体和平面示意图如下： 硅原子空间排列及共价键结构平面示意图 (c) (a) 硅晶体的空间排列 (b) 共价键结构平面示意图 （2）电子空穴对 当导体处于热力学温度0K时，导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，原子的电中性被破坏，呈现出正电性，其正电量与电子的负电量相等，人们常称呈现正电性的这个空位为空穴。 这一现象称为本征激发，也称热激发。 可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合，如下图所示。 本征激发和复合在一定温度下会达到动态平衡。 本征激发和复合的过程 (3) 空穴的移动 自由电子的定向运动形成了电子电流，空穴的定向运动也可形成空穴电流，它们的方向相反。只不过空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的，因此，空穴的导电能力不如自由电子（见右图） 空穴在晶格中的移动 （4）N型半导体和P型半导体 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质后的本征半导体称为杂质半导体。 在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，可形成 N型半导体,也称电子型半导体。 因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。 在N型半导体中自由电子是多数载流子,它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成。 提供自由电子的五价杂质原子因自由电子脱离而带正电荷成为正离子，因此，五价杂质原子也被称为施主杂质。N型半导体的结构示意图如下图所示。 N型半导体结构示意图 本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓、铟等形成 P型半导体，也称为空穴型半导体。因三价杂质原子与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。 P型半导体中空穴是多数载流子，主要由掺杂形成；电子是少数载流子，由热激发形成。 空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质因而也称为受主杂质。P型半导体 的结构示意图如右图所示。 P型半导体的结构示意图 第二节 PN结与半导体二极管 1 PN结的形成 在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成 N 型半导体和 P 型