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绝缘栅场效应管的结构 耗尽型绝缘栅场效应管的特性曲线 第三节 场效应管 普通晶体管是电流控制元件，通过控制基极电流达到控制集电极电流的目的。由于信号源必须提供一定的电流才能工作，因此它的输入电阻较低，仅有102—104?。 场效应管则是电压控制元件，它的输出电流取决于端电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以它的输入电阻很高，可高达109 — 1014?。 场效应管 结型场效应管 绝缘栅场效应管 G D S N+ N+ P 绝缘栅场效应管的分类 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 源极：S 漏极：D 栅极：G 1、增强型绝缘栅场效应管 G D S 二、 绝缘栅场效晶体管 G D S N+ N+ P UGS N沟道增强型绝缘栅场效应管 导电沟道的形成 G D S N+ N+ P EG N沟道增强型绝缘栅场效应管的导通 ED ID 开启电压UGS（th） 在一定的漏—源电压UDS下，使场效应管由不导通变为导通的临界栅—源电压，称为开启电压。 无沟道 有沟道 UDS=常数 UGS(V) ID (mA) 0 转移特性曲线 漏极特性曲线 (也叫输出特性曲线) N沟道增强型场效应管的特性曲线 UGS=1V 2V 3V 4V ID (mA) UDS(V) 0 （输入电压对输出电流的控制特性） G D S N P+ P+ G D S P沟道增强型绝缘栅场效应管的结构及表示符号： 2、耗尽型绝缘栅场效应管 G D S N+ N+ P N沟道耗尽型绝缘栅管的结构 G D S 对应的符号 增强型绝缘栅场效应管在加电压后才能生成沟道，而耗尽型场效应管是有原始沟道存在的。 若在场效应管加上栅源电压UGS，则原始沟道的大小将受该电压的控制，即漏源之间的导电能力受栅源电压UGS控制。 转移特性曲线 UGS(V) UDS=常数 ID (mA) 0 IDSS -1 -2 -3 1 2 4 8 12 漏极特性曲线 ID (mA) UDS(V) 0 1 -2 -1 UGS=0V 转移特性方程： 场效应管的主要参数： 开启电压：UGS(th) 夹断电压：UGS(off) 饱和漏源电流：IDSS 跨导：gm gm = 漏源击穿电压：UDS(BR) 栅源击穿电压：UGS(BR) 使用绝缘栅场效应管时，要注意选择适当的参数，不要超极限使用。 特别要注意：在保存及安装时，应使三个电极保持短路；焊接烙铁须接地良好。 栅极 源极 漏极 基极 发射极 集电极 对应极 简单、成本低 较复杂 制造工艺 好 差 热稳定性 很高 很高 输出电阻 rds=107-1014 ? rce=102-104 ? 输入电阻 gm=1-5mA/V 20-100 放大参数 N沟道和P沟道 NPN型和PNP型 类型 电压控制 电流控制 控制方式 场效应管 晶体管 场效应管和晶体管的比较 场效应管(MOSFET)是一种外形与普通晶体管相似，但控制特性不同的半导体器件。它的输入电阻可高达1015W，而且制造工艺简单，适用于制造大规模及超大规模集成电路。 场效应管也称做MOS管，按其结构不同，分为结型场效应晶体管和绝缘栅场效应晶体管两种类型。在本节中只简单介绍后一种场效应晶体管。 场效晶体管是一种较新型的半导体器件，其外形与普通晶体管相似，但两者的控制特性却截然不同。普通晶体管是电流控制元件，通过控制基极电流达到控制集电极电流或者发射极电流的目的，即信号源必须提供一定的电流才能工作。因此它的输入电阻较低，仅有102~104欧。场效晶体管则是电压控制元件，它的输出电流决定输入端电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以它的输入电阻很高，可达到109~1014欧。这是它的突出特点。此外，场效管还具有其他优点，所以现在已被广泛应用于放大电路和数字电路中，特别是在大规模和超大规模集成电路中得到了广泛的应用。 绝缘栅场效应管：也叫金属氧化物半导体场效应管，或者表面场效应管（它是利用半导体表面的电场效应来工作的，即电场作用于半导体表面，把电子吸引到半导体表面，从局部来看表面形成了N型半导体），简称MOS管。 栅极同其余电极之间绝缘所以叫绝缘栅。 根据导电沟道的类型可以分为N型和P型。 根据是否存在原始导电沟道可以分为增强型和耗尽型。 绝缘栅场效应晶体管按其结构不同，分为N沟道和P沟道两种。每种又有增强型和耗尽型两类。下面简单介绍它们的工作原理。??? 1．增强型绝缘栅场效应管??? 图6-38是N沟道增强型绝缘栅场效应管示意图。??? 在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，用光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，称做漏极D和源极S如图6-38(a)所示。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏-源极间的绝缘层上再装一个铝电极，称做栅