光电技术第2无讲75181.pptVIP

光电技术第二讲 物质对光吸收的一般规律 用透射法测定光通量的衰减时,得到以下结论:光能量变化与入射的光通量及路程的乘积成正比. 称为吸收系数. 利用边界条件解上面的微分方程,得到 当光在物质中传播时,透过的能量衰减到原能量的 时所通过的路程的倒数等于物质的吸收系数. 半导体对光吸收 包括：本征吸收、杂质吸收、激子吸收、自由载 流子吸收和晶格吸收 本征吸收 不考虑热激发和杂质的作用时，半导体中的电子基本上处于价带中，导带中的电子数很少。当光入射到半导体表面时，原子外层价电子吸收足够的光子能量，越过禁带，进入导带，成为可以自由运动的自由电子，同时在价带中留一个自由空穴，即产生电子-空穴对。 半导体价带电子吸收光子能量迁入导带，产生电子-空穴对的现象称为本征吸收。 本征吸收产生的条件是光子能量必须大于半导体的禁带宽度，这样才能使价带上的电子吸收足够能量跃入导带低能级之上， 发生本征吸收的光波长波限为： 只有波长小于长波限的入射辐射才能使器件产生本征吸收，改变本征半导体的导电特性。 杂质吸收 N型半导体中未电离的杂质原子（施主原子）吸收光子能量，若光子能量大于施主电离能，杂质原子的外层电子将从杂质能级（施主能级）跃入导带，成为自由电子。 P型半导体中价带上的电子吸收大于受主电离能的光子能量后，价电子跃入受主能级，价带上留下空穴。相当于受主能级上的空穴吸收光子能量跃入价带。 杂质半导体吸收足够能量的光子，产生电离的过程称为吸收。 杂质吸收的长波限为： 由于禁带宽度大于施主或受主电离能，杂质吸收的长波限总要长于本征吸收的长波限，杂质吸收会改变半导体的导电特性，会引起光电效应。 激子吸收 当入射到本征半导体上的光子能量小于禁带宽度，或入射到杂质半导体上的光子能量小于杂质电离能时，电子不产生能带间的跃迁成为自由载流子，仍受原来束缚电荷的约束而处于受激状态。这种处于受激状态的电子称为激子。吸收光子能量产生激子的现象，称为激子吸收。 激子吸收不会改变半导体的导电特性。 自由载流子吸收 对于一般半导体材料，当入射光子的频率不够高，不足以引起电子产生能带间的跃迁或形成激子时，仍然存在着吸收，而且其强度随波长增大增强。这是由自由载流子在同一能带内的能级跃迁所引起的，称为自由载流子吸收。自由载流子吸收不会改变半导体的导电特性。 晶格吸收 晶格原子对远红外谱区的光子能量的吸收，直接转变为晶格振动动能的增加，在宏观上表现为物体温度升高，引起物质的热敏效应。 这五种吸收，只有本征吸收和杂质吸收能够直接产生非平衡载流子，引起光电效应。其他吸收都程度不同地把辐射能转换为热能，使器件温度升高，使热激发载流子运动的速度加快，而不会改变半导体的导电特性。 光与物质作用产生的光电效应分为内光电效应和外光电效应两种。 被光激发所产生的载流子（自由电子或空穴）仍在物质内部运动，使物质的电导率发生变化或产生光生伏特现象称为内光电效应。 被光激发产生的电子逸出物质表面，形成真空中的电子的现象，称为外光电效应。 内光电效应是半导体光电器件的核心技术，外光电效应是真空光电倍增管、摄像管、变像管和像增强器的核心技术。 光电效应 内光电效应 光电导效应：本征光电导效应和杂质光电导效应 本征半导体或杂质半导体价带中的电子吸收光子能量跃入导带,产生本征吸收,导带中产生光生自由电子,价带中产生光生自由空穴.从而导致半导体的电导率发生变化. 这种在光的作用下由本征吸收引起的半导体电导率发生变化的现象,称为本征光电导效应. 在弱辐射作用下： 半导体材料的光电导与入射辐射通量成线性关系. 弱辐射条件下半导体材料的光电导灵敏度: l b d 强辐射作用下: 半导体材料的光电导与入射辐射通量间的关系为 半导体材料的光电导灵敏度: 半导体的光电导效应与入射辐射通量关系: 在弱辐射条件下,光电导与入射辐射通量成线性关系;随着辐射的增强,线性关系变坏,当辐射很强时,关系曲线变为抛物线. 光生伏特效应是基于半导体PN结的一种将光能转换成电能的效应. 当射辐射作用在半导体PN结上产生本征吸收时,价带中的光生空穴与导带中的光生电子在PN结内建电场作用下分开,并分别向两个方向运动,形成光生伏特电压或光生电流. 入射辐射 P 内建电场 + + + - - - 电子 N 空穴 光生伏特效应 当将PN结两端接入适当的负载电阻RL,入射辐射通量如为 ,则有电流通过负载,在负责两端产生压降U,流过负载电流为: 把PN结短路,得到的短路电流即为光生电流 开路电压: 在图像传感器中常用具有光生伏特效应的光电二极管作为像敏单元,此时的光电二极管采用反向偏置,此时光电二极管的电流为: 一般暗电流远小于光电流,因此常将其略去.则光电二极