第6章 付 半导体存储器.pptVIP

东北大学信息学院 第6章 半导体存储器 数字系统运行中有大量信息需要处理，希望有存储部件来存放正被处理的信息。 半导体存储器是一种由半导体器件构成的能够存储数据、运算结果、操作指令的逻辑部件。用于计算机的内存及数字系统存储部件。 只读存储器（Read Only Memory 简称ROM）内存储的信息是在脱离系统的状态下被存入的，在系统运行中只能被读出而不能被修改。 随机访问存储器（Random Access Memory 简称RAM）的访问时间和地址都不受限制，在系统运行时可任意读写数据。 顺序访问存储器（Sequence Access Memory简称SAM）在系统运行时可以随时读写数据，但被访问的存储单元地址是按序排列的，不能随意选择，如果信息读出地址的顺序是与写入时同序的称先进先出（FIFO）存储器，与写入时逆序的称先进后出（FILO）存储器。 数字系统信息通常以“字”为单位存储，1个字由若干位二进制数据或数码构成。 一个寄存器 由m个触发器构成，可以记忆m位二进制数据或信息，我们把这m位二进制数据组成的信息组称为“字”，其位数称为“字长”。 存储器中每个字单元被赋于一个单元地址。 “字”单元地址以二进制编码表示，存储器按输入的“字”地址码选择被访问的存储单元。地址码为n位，有2 n种组合，可以表示2 n 个字单元，即字单元的寻访范围为2 n个。 所以一般存储器地址码输入端口数反映了存储器所含的“字”数N（N =2 n ）。 一个“字”包含m位数据同时被存入或读出，所以存储器的数据端口数反映了存储信息的“字长”m。存储器中含有的存储单元总数M（ =字数×字长= N × m）称为存储容量。 例如，某存储器能存储1024个字 ，每个字4位，那它的存储容量就为1024×4=4096，即该存储器有4096个存储单元。 2、存取周期 连续两次读（写）操作间隔的最短时间称为存取周期。 ROM按存储内容的写入方式，可分为固定ROM，可编程序只读存储器，简称（PROM)和可擦除可编程只读存储器(Erasable Programmable Read Only Memory，简称EPROM)。 固定ROM：在制造时根据特定的要求做成固定的存储内容，出厂后，用户无法更改，只能读出。 6.2.3 可擦可编程只读存储器(EPROM) 可擦除可编程存储器又可以分为： 光可擦除可编程存储器UVEPROM(Ultra—Violet Ereasable Programmable Read－Only Memory) 电可擦除可编程存储器E2PROM (Electrical Ereasable Programmable Read－Only Memory) 快闪存储器(Flash Memory)等。 6.2.1 固定只读存储器(ROM) 6.3 随机存取存储器 随机存取存储器RAM（Random Access Memory）可随时从任一指定地址存入（写入）或取出（读出）信息。在计算机中，RAM用作内存储器和高速缓冲存储器。 RAM的电路结构为时序逻辑电路，一般由触发器或电容记忆二进制数据（“0”或“1”），存储数据在电路失电时丢失。 RAM分为静态RAM和动态RAM； 静态RAM（SRAM）是以触发器为基本单元来存储0和1的，； 静态RAM所用管子数目多，功耗大，集成度受到限制，为克服此缺点，人们研制了动态RAM （DRAM） 。 动态RAM存储数据的原理：MOS管栅极电容的电荷存储效应。信息的存储单元是由门控管和电容组成。用电容上是否存储电荷表示存1或存0。 由于漏电流的存在，电容上存储的数据（电荷）不能长久保存，必须定期重写，以免数据丢失——刷新（再生）。 常见动态RAM存储单元有3管和单管两种。 为了提高集成度，目前大容量动态RAM的存储单元普遍采用单管结构 DRAM的主要特点： 1、容量大 DRAM存储元采用的MOS管少，所以其单片存储器的容量可以大大增加。DRAM的存储容量一般为SRAM的四倍。 2、电路复杂、速度低 DRAM利用了电容存储信息，由于电容具有漏电特性，随着时间推移，存储器信息容易丢失。因此，在数字系统运行中，必须定时对DRAM中的数据信息“刷新”。 所以DRAM的操作较SRAM复杂，信息存取速度较低。根据DRAM与SRAM各自的特点，在计算机系统中，容量大的主内存一般采用DRAM，而高速缓存器则采用SRAM。 6.3.3 集成RAM简介 图6-14是Intel公司的MOS型静态RAM2114的结构图。存储容量1024×4位。采用X、Y双向译码方式。4096个存储单元排列成64行×64列矩阵，64列中每4列为一组，分别由16根Y译码输出线控制。即每一根译码输出线控