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三极管知识讲座 佛山市蓝箭电子有限公司 刘晓荣 一、三极管结构原理及符号 三极管由两个PN结构成，PN结是由两种不同导电类型半导体材料组成，即P型材料(POSITIVE，导电载流子为空穴)和N型材料(NEGATIVE，导电载流子为电子) 。三极管按极性分NPN和PNP型： 二、晶体管命名方法： 国内命名方法： 3DG1815-Y 第一部分用阿拉伯字表示器件的电极数目 2：表示二极管；3：表示三极管 第二部分表示器件的材料和极性 A：PNP锗 ； B：NPN锗 ；C：PNP硅 ；D：NPN硅 ；E：化合物材料 第三部分表示器件的类型 G：高频小功率；D：低频大功率；A：高频大功率；K：开关管；X：低频小功率 大于等于1W为大功率管，小于1W为小功率管，功率不是很大，封装比较大为中功率管 第四部分用阿拉伯字表示序号（型号） 第五部分表示器件的规格（放大档次） 国外命名方法（如日本工业标准（JIS）规定命名）：2SC1815-Y 第一部分用数字表示类型或有效电极数 1：表示二极管；2：表示三极管 第二部分“S”表示日本电子工业协会（EIAJ）注 册产品 第三部分用字母表示器件的极性及类型 A：PNP高频；B：PNP低频；C：NPN高频； D：NPN低频；J：P沟道场效应管； K：N沟道场效应管 第四部分用数字表示在日本电子工业协会登记的 顺序号 第五部分表示器件的规格（放大档次） 三、晶体管的封装形式 常见封装形式 四、晶体管的结构和制造工艺 管芯 框架 内引线（金丝或铝丝） 塑封料 制造工艺（双极型） 1、前工序 衬底制备（多晶硅 溶解+掺杂 拉单晶、磨、切、抛等） 外延 氧化 基区光刻 基区扩散 发射区光刻 发射区扩散 引线孔光刻 蒸铝 反刻铝 合金 淀积钝化膜 刻蚀压焊孔减薄 背面金属化 2、 后工序 划片 粘片 压焊 塑封 冲筋 上锡 分离 测试 打印 编带包装 五、电参数和测试仪器介绍 PC 指集电极最大允许耗散功率，使用时不能超过此功率， IC 指集电极允许最大直流电流 IB 指基极允许最大直流电流 Tj 结温度，指PN结温度 VCEO（集电极—发射极击穿电压）基极开路，C、E之间的反向击穿电压。 VCBO（集电极—基极击穿电压）发射极开路，C、B之间的反向击穿电压。 VEBO（发射极—基极击穿电压）集电极开路，E、B之间的反向击穿电压。 HFE(共发射极正向电流传输比)：在共发射极电路中，输出电压保持不变时，直流输出电流与直流输入电流之比。 ICBO（集电极—基极截止电流）：当发射极开路时，在规定的集电极—基极电压下，流过集电极—基极结的反向电流。 IEBO（发射极—基极截止电流）：当集电极开路时，在规定的发射极—基极电压下，流过发射极—基极结的反向电流。 VCE（SAT）（集电极—发射极饱和压降）：晶体管工作于饱和区时，在规定的基极电流和集电极电流下，集电极端子与发射极端子之间的电压 VBE（SAT）（基极—发射极饱和压降）：晶体管工作于饱和区时，在规定的基极电流和集电极电流下，基极端子与发射极端子之间的电压 VBE（基极—发射极电压）：在规定的VCE、IC的条件下，晶体管的基极—发射极正向电压。 fT（特征频率）：共发射极小信号正向电流传输比的模数下降到1时的频率 Cob（共基极输出电容）：在共基极电路中，输入交流开路时的输出电容。 常用测试仪器 自动测试系统（全直流参数测试） XJ4810半导体管特性图示仪（测HFE、击穿电压等） BJ2950A晶体三极管工作电压测试仪（测饱和压降） JS2C晶体三极管反向电流测试仪 Ft参数测试仪 六、使用和设计必须注意问题功耗、电流、安全工作区 1、晶体管损坏原因　　（1）电路中的电压、电流、输出功率　过载引起损坏在晶体管电路中主要与集电极－发射极间的电压VCC、集电极－基极VCB与晶体管固有的特性参数(如VCBO、VCEO、ICBO、ICEO、PCM)及工作条件有关。如果电路中晶体管的集电极VCEO电压超过了最大值，就会造成晶体管的损坏。 （2）热损坏　在晶体管手册中一般所指的最大电压，通常是常温(25℃)下的值。因此，在环境温度较高或在最高结温下使用时，晶体管工作的实际最大电压将小于常温时的值，此时晶体管的ICBO和IEBO也会增加，造成结温上升，而结温升高又会使ICBO和IEBO更进一步增大而形成雪崩现象，结果热击穿而损坏。 （3）二次击穿引