模电课件 近14 场效应管.pptVIP

模电课件 §1.4 场效应管 §1.4 场效应管 一、绝缘栅型场效应管(MOSFET) 1、N沟道增强型MOS管 （2）工作原理 （3）特性曲线与电流方程 ②转移特性曲线与电流方程 2、N沟道耗尽型MOS管 二、结型场效应管 1、结构(以N沟道为例) 1、工作原理 （2）当uGS为0～UGS(off)中某一值，uDS对iD的影响 （3）当uGDUGS(off)时，uGS对iD的控制作用 3、 结型场效应管的特性曲线 （2）转移特性曲线 2、交流参数 3、极限参数 五、场效应管与晶体管的比较 * 1.熟悉场效应管的结构、分类 2.了解场效应管的的工作原理、主要参数和应用 绝缘栅型场效应管的结构特点 绝缘栅型场效应管的特性曲线 学习目标 学习重点 场效应管（FET）是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，由于它仅靠一种载流子导电，又称单极型晶体管。 场效应管 结型场效应管 （JFET） 绝缘栅型场效应管 （MOSFET） N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 金属层 氧化物层 半导体层 S (Source)：源极 G (Gate)：栅极 D (Drain)：漏极 B (Substrate):衬底 (1)结构 符号 ①当加uDS时，若 uGS＝0 两个PN结背靠背，不存在导电沟道，即iD＝0； + + N N P型衬底 uDS uGS ②uDS＝0，uGS0 uGS排斥SiO2附近的空穴，剩下不能移动的离子，形成耗尽层； 衬底的自由电子吸引到耗尽层与绝缘层之间，形成一个N型薄层，即反型层，也是d－s之间的导电沟道； 随着uGS增大， 开启电压UGS(th)：刚刚形成反型层的uGS电压。 S D G + + N N P型衬底 uDS uGS ③uGSU GS (th) ，uDS0 由于有导电沟道，会产生漏极电流iD； iD 导电沟道存在电位梯度，导电沟道不均匀，沿着s→d方向逐渐变窄； 当uDS= UGS?UGS(th)时，导电沟道出现预夹断； 当uDS较大， uDSUGS?UGS(th)时，导电沟道出现夹断； 此时，iD的大小与uDS无关，由uGS决定，恒流区。 当uDS较小， uDS UGS?UGS(th)时,uDS增大,iD也增大,可变电阻区； S D G ①输出特性曲线 uGS1=UGS(th) iD(mA) uDS(V) uGS5 uGS4 uGS3 uGS2 可变电阻区 恒流区 夹断区 预夹断轨迹 iD = f (uDS) 对应不同的UGS 下得一簇曲线 夹断区 恒流区 可变电阻区 输出特性曲线（分三个区域） 输出特性曲线（分三个区域） 夹断区：uGS UGS(th)时，iD≈0,ROFF109欧。 uGS1=UGS(th) iD(mA) uDS(V) uGS5 uGS4 uGS3 uGS2 夹断区 输出特性曲线（分三个区域） uGS1=UGS(th) iD(mA) uDS(V) uGS5 uGS4 uGS3 uGS2 恒流区：uDSUGS?UGS(th)导电沟道出现夹断，iD取决于uGS ，而与uDS无关 ； 恒流区 输出特性曲线（分三个区域） 可变电阻区： 导电沟道未夹断前， ，对应不同的uGS， d－s 间可等效不同的电阻； uDS UGS?UGS(th) uGS1=UGS(th) iD(mA) uDS(V) uGS5 uGS4 uGS3 uGS2 可变电阻区 UGS(th) 2UGS(th) IDO uGS iD 转移特性曲线: 电流方程: IDO：uGS＝2UGS(th) 时的 iD。 恒流区： iD 基本上由uGS决定，与UDS 关系不大 uGS1=UGS(th) iD(mA) uDS(V) uGS5 uGS4 uGS3 uGS2 恒流区 转移特性曲线 输出特性曲线 总结：N沟道增强型 导电沟道是N型，所以衬底是P型。 在G的下方，在Si O2中掺入大量的正离子，即使uGS＝0，也会吸引P中的电子形成沟道。 - - g s + N d b N + + + + + + + + + + + + P型衬底 uGS uDS iD 想让沟道消失，必须加足够负电压。 夹断电压UGS(off)：反型层消失时的uGS，为负值。 s g d b N沟道 符号： N沟道耗尽型 MOS管的uGS可以为正，也可以为负。 iD 3、P沟道增强型 导电沟道是P型，所以衬底是N型。 P沟道MOS的工作原理与N沟道MO