S12ZMagniV引导加载程序.PDF

Freescale Semiconductor Document Number: AN4723 应用笔记 Rev 0, 07/2013 S12Z MagniV 引导加载程序 作者: Arturo Inzunza 内容 1 简介 1 简介 1 2 S12Z 内核工作原理1 本应用说明介绍了S12Z 内核引导区的工作原理，以及如何 实现和使用引导加载应用程序对器件进行串行重新编程。 3 S-Record 格式 4 S12Z 内核是MagniV 系列与其他飞思卡尔16 位微控制器 4 引导加载程序软件 5 的主要区别之一。本文档重点描述该内核是如何管理引导 进程、存储器布局和操作机制，以及中断管理。本文档提 5 实施MagniV 引导加载程序 10 供的引导加载应用程序可与任何串行通信协议驱动程序相 匹配，为实现提供灵活性。一些串行引导加载程序的常用 6 开发用于MagniV 引导加载程序的代码... 13 备选模块包括SCI、CAN 或LIN ，但也可以使用I2C 、SPI 7 PC 应用程序编程 13 或常规通用IO （Bit-Banging ）。引导加载应用程序与通信 8 结论 14 驱动程序明确分离，以便于在不同应用（和/或MagniV 器 件）间替换和移植引导加载程序。 9 参考 15 S12Z MagniV 引导加载程序旨在提供交叉平台解决方案， 可方便地移植到不同的MagniV 器件。它利用所有具有 S12Z 内核的MagniV 器件共享类似架构这一优势。引导 加载程序设计得很小，从而可以用于更小型器件，而无需 消耗大部分的存储资源。以下章节将重点描述S12Z 内核 的操作特性、S19 记录格式、开发被引导加载程序代码时 的注意事项，以及对PC 应用程序服务器的快速说明。PC 应用程序可通过串行RS-232 端口传输S19 文件到目标。 2 S12Z 内核工作原理 S12Z 内核与飞思卡尔其他16 位内核相比存在许多区别。 最重要的是采用了24 位寻址机制。早期的16 位内核具有 16 位寻址，仅支持64 KB 的直接存储器寻址。此限制强制 © 2013 Freescale Semiconductor, Inc. S12Z 内核工作原理 使用页来实现更大的存储器，而对于这些存储器的控制也变得更为复杂。S12Z 内核的24 位寻址能力使其最多可以 进行16 MB 的直接存储器寻址。这意味着不再需要页，不过地址长度为3 字节长。S12Z 内核还具有一个经细微修改 的引导机制，比早期内核上的更为简单。 2.1 存储器布局 S12Z MagniV 器件家族采用多种不同的存储器尺寸，但都共用一种常用布局。利用更大寻址能力这一优势，所有存 储器：RAM 、程序Flash （P-Flash ）和EEPROM 均可被直接寻址，而无需使用页。本文不会对EEPROM 进行分析， 因为引导加载程序不会对此存储器进行擦除、编程或读取操作。 P-Flash 存储器尺寸范围从128 KB （较大器件）到8 KB （较小器件）。不管P-Flash 存储器有多大，它总是位于寻址 空间的最后，并在地址0xFFFFFF 处结束。下图显示了32-KB 存储器的P-Flash 分布和存储器保护选项示例。 P-Flash START = 0xFF_8000