150V抗辐射VDMOS的设计.pdfVIP

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2019-01-12 发布于安徽
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150V抗辐射VDMOS的设计.pdf

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目录目录摘要…………………………………………………………………………………………………………。I Abs把act………………………………………………………………………………………………………………………………………III Ej录……………………………………………………………………………………………………………………………………………．、，第一章绪论…………………………………………………………………………………………………1 1．1课题背景…………………………………………………………………………………………一1 1．1．1功率器件与Ⅵ)MOS………………………………………………………………………1 1．1．2空间辐射与航天安全………………………………………………………………………2 1．1．3辐射损伤与抗辐射加固……………………………………………………………………4 1．2国内外研究现状…………………………………………………………………………………一5 1．2．1单粒子烧毁(SEB)…………………………………………………………………………．5 1．2．2单粒子栅穿(SEGR)………………………………………………………………………．．7 1．2．3总剂量效应(1’工D)…………………………………………………………………………一8 1．3论文研究内容及意义……………………………………………………………………………一8 1．4论文组织结构……………………………………………………………………………………一9 第二章Ⅵ)MOS工作原理与特性分析…………………………………………………………………．．1l 2．1VDMOS结构与工艺……………………………………………………………………………。11 2．1．1 vDMOs基本结构…………………………………………………………………………lI 2．1．2Ⅵ)MOS工艺流程…………………………………………………………………………13 2．2VDMOS工作特性………………………………………………………………………………．．14 2．2．1 VDM0s关断特性…………………………………………………………………………14 2．2．2ⅧM0s导通特性…………………………………………………………………………17 2．3Ⅵ)MOS主要参数………………………………………………………………………………。l9 2．3．1击穿电压…………………………………………………………………………………．19 2．3．2阈值电压…………………………………………………………………………………．21 2．3．3导通电阻…………………………………………………………………………………．．22 2．4终端结构…………………………………………………………………………………………27 2．4．1场限环结构………………………………………………………………………………．27 2．4．2场板结构…………………………………………………………………………………．28 2．5本章小结…………………………………………………………………………………………29 第三章sEB辐射效应研究………………………………………………………………………………．31 3．1SEB分析模型……………………………………………………………………………………．．31 3．1．1三极管击穿特性…………………………………………………………………………．3l 3．1．2电流引发雪崩倍增效应…………………………………………………………………．32 3．1_3拟光触发晶闸管模型……………………………………………………………………．34 V 东南大学硕士学位论文 3．2SEB数值仿真模型………………………………………………………………………………．．36 3．2．1