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第三章 双鸣极晶体管
第三章 双极晶体管 晶体管(半导体三极管)是由两个PN结构成 的三端器件，由于两个PN结靠得很近，它具有放 大电信号的能力，因此在电子电路中获得了更广 泛的应用。 晶体管按使用要求的不同一般分为高頻管和 低頻管,小功率管和大功率管,高反压管和开关管 等。 低频小功率晶体管，指特征频率3MHz以 下，功率小于1W的晶体管，主要用于各种电子 设备中的低放、功放管。 一.晶体管的直流 特性 1.?晶体管的基本 结构和杂质分布按 制作工艺和管芯结 构形式晶体管可分 为合金管,合金扩 散管,台面管,双扩 散管和平面管等 2.??晶体管的放大机理 （1）晶体管的直流电流放大系数 （3-101） 共基极直流电流放大系数： （3-102） 共发射极直流电流放大系数 ： （3-103） 在共基极运用时： （3-110） （3-111） （3-112） 晶体管要具备放大能力,必须满足以下条件： 发射区杂质浓度比基区杂质浓度高得多,以保证发射效 率接近1。 基区宽度小于少子扩散长度,保证基区输运系数接近1。 发射结必须正偏,使re小;集电结反偏,使 rc大。 对NPN管： （3-104） 晶体管发射效率 ： （3-105） 基区输运系数 ： （3-106） 集电区倍增因子 ： （3-107） 雪崩倍增因子M： （3-108） （2）晶体管的放大作用 在共发射极运用时： （3-109） 3.晶体管的输入,输出特性 4．晶体管直流电流—电压方程 均匀基区晶体管的直流电流—电压方程，假设： (1)发射结和集电结是理想的突变结，发射区、基区和集电区的杂质为均匀分布； (2)晶体管是一维的，发射结与集电结面积相等； (3)外加电压全部降落在PN结势垒区内； (4)发射区与集电区的长度比少子扩散长度大得多； (5
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