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第四章 硅片制备 本章研究目的：研究硅片的制备过程， 即 沙子 硅片 包括： 硅的提纯 单晶硅生长 硅片制备 本章主要内容： 硅的提纯 硅晶体结构和晶向 单晶硅生长 晶体缺陷和硅中杂质 硅片制备 以下是订购硅晶圆时，所需说明的规格： 项目 说明晶面 {100}、{111}、 {110}?±?1o外径(吋) 3 4 5 6厚度(微米) 300~450 450~600 550~650 600~750(±25)杂质 p型、n型阻值(Ω-cm) 0.01?(低阻值)?~?100?(高阻值)制作方式 CZ、FZ?(高阻值)拋光面 单面、双面平坦度(埃) 300?~?3,000 准备工作——衬底选择 常用的Si、Ge、GaAs选用的指标主要有： 晶圆片的直径；晶片的平整度；晶格的完整性；纯度；晶向；导电类型（P型或N型）；电阻率； 例： 100晶向无缺陷的单晶硅片 8英寸硅片，硅片厚度约700um p 型硅片，电阻率为10-50Ωcm §4.1 硅的提纯 半导体级硅（SGS）或电子级硅： 用来做硅片的高纯硅被称为半导体级硅（SGS）或电子级硅。 纯度：99.9999999% 硅的提纯过程 1.用碳加热硅石制备冶金级硅（MGS） 2. 通过化学反应将冶金级硅提纯生成三氯硅烷 3.利用西门子法，通过三氯硅烷和氢气反应来生产半导体级硅（SGS） 1.用碳加热硅石制备冶金级硅（MGS） SiO2和碳（用煤和焦炭）加热到大约2000oC 冶金级硅纯度98% 含大量杂质：铝、铁 2.通过化学反应将冶金级硅提纯生成三氯硅烷 （1）冶金级硅磨成粉末，在催化剂的情况下，高温度与HCl反应。 （2）蒸馏提纯 SiHCl3和其中的杂质一起沸腾并由于沸点不同而分离。 SiHCl3沸点31.40C 冶金级硅的提纯 3.利用西门子法，通过三氯硅烷和氢气反应来生产半导体级硅（SGS） 西门子反应器 § 4.2 晶体结构和晶向 集成电路的衬底采用什么结构？ 集成电路的衬底采用什么晶向？ 固体分为： 非晶体 多晶体 晶体 制作集成电路的衬底材料 非晶：没有重复结构 ， 多晶：部分重复结构 单晶：完全重复结构，制造集成电路的衬底材料。 晶向 100晶面 111晶面 §4.3 单晶硅生长 多晶硅 单晶硅 晶体生长：把多晶块转变成一个大单晶，并给予正确的晶向和适量的N型或P型掺杂。 单晶硅生长方法 目前主要有两种不同的生长方法： 直拉法（CZ法） 区熔法 直拉法（CZ法） 85%的单晶都是通过直拉法生长的。 直拉单晶炉 直拉单晶炉 熔融物质再结晶必备的条件： 降温 结晶中心 --籽晶: 单晶硅，无位错，晶向正，电阻率高，表面没有任何损伤和杂质沾污…… 单晶拉制过程 1.清洁处理----炉膛、多晶硅、籽晶、掺杂剂、坩埚等等 2.装炉----装多晶硅、掺杂剂 3.抽真空 4.回充保护性气体 5.加热融化----15000C左右 6.单晶拉制 7.关炉降温 单晶生长的过程： （1）下种 （2）缩颈； （3）放肩； （4）等颈生长； （5）收尾。 单晶锭 直拉法中的掺杂 方式：掺杂杂质加入到粉碎的硅粉中。 方法： 元素掺杂 合金掺杂 区熔法 制备过程： 1）将掺杂好的多晶硅棒和籽晶一起竖直固定在区熔炉内，多晶棒底部和籽晶接触； 2）抽真空或通入惰性气体； 3）射频线圈通电流将多晶硅熔化； 4）融化区从多晶硅底部区域开始，然后慢慢地向上移动，形成单晶硅； 5）反复多次，使硅棒沿籽晶生长成具有预期电学性能的单晶硅。 直拉法与区熔法比较 直拉法特点： 优点：工艺成熟，能较好地拉制低位错、大直径的硅单晶。 缺点：是难以避免来自石英坩埚和加热装置的杂质污染。 杂质污染：氧、碳 应用：生长大直径低电阻率的硅单晶。 区熔法特点： 优点：氧、碳含量低。 缺点：硅棒直径小，不能生长大直径的单晶；并且掺杂困难。 应用：生长高纯度单晶硅；或单晶硅进一步提纯。 区熔法的掺杂 1、芯体掺杂 适