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* 4.3 MOSFET 的直流电流电压方程 以 N 沟道 MOSFET 为例，推导 MOSFET 的 ID ~ VD 方程。 ID VD 推导时采用如下假设 ① 沟道电流只由漂移电流构成，忽略扩散电流； ② 采用缓变沟道近似，即 这表示沟道厚度沿 y 方向的变化很小，沟道电子电荷全部由 感应出来而与 无关； 附：泊松方程 VD 4.3.1 非饱和区直流电流电压方程 ③ 沟道内的载流子（电子）迁移率为常数； ④ 采用强反型近似，即认为当表面少子浓度达到体内平衡多子浓度（也即 ?S = ?S,inv ）时沟道开始导电； ⑤ QOX 为常数，与能带的弯曲程度无关。 当在漏极上加 VD VS 后，产生漂移电流， 式中， 代表沟道内的电子电荷面密度。 1、漏极电流的一般表达式 （4-36） （4-37） （4-36） 当 VG VT 后，沟道中产生的大量电子对来自栅电极的纵向电场起到屏蔽作用，所以能带的弯曲程度几乎不再随 VG 增大 ，表面势 ?S 也几乎维持 ?S,inv 不变。于是，