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第十章 氧化—10.3.2 热氧化生长模式 线性阶段（15 nm，反应速率控制）： X=(B/A)×t 抛物线阶段（15 nm，扩散控制）： X=(Bt)1/2 第十章 氧化—10.3.2 热氧化生长模式 第十章 氧化—10.3.2 热氧化生长模式 第十章 氧化—10.3.2 热氧化生长模式 第十章 氧化—10.3.2 热氧化生长模式 第十章 氧化—10.3.2 热氧化生长模式 第十章 氧化—10.3.2 热氧化生长模式 第十章 氧化—10.3.2 热氧化生长模式 影响氧化物生长的因素 1、温度、水汽 2、掺杂效应（重掺的快） 3、（111）（110）（100），但前者界面电荷堆积多 4、压力效应，随压力增大而增大 5、等离子体增强，减少热预算（可低于600℃为什么？） 第十章 氧化—10.3.2 热氧化生长模式 初始生长阶段：无精确模型，栅氧的生长 选择性氧化：利用SiO2来实现对硅片表面相邻器件的电隔离。0.25μm 工艺之前采用LOCOS，用淀积氮化物薄膜作为氧化阻挡层。现在的主流工艺采用STI（浅槽隔离工艺） 二氧化硅的应力、氧化诱生堆垛层错（OISF）【掺氯氧化减少层错】 第十章 氧化—10.3.2 热氧化生长模式 第十章 氧化—10.3.2 热氧化生长模式 第十章 氧化—10.3.2 热