固体物理他学教案5.pptVIP

第五章 晶体中的缺陷 完美晶体：所有原子或离子都排列在晶格中它们自己的位置上，没有外来的杂质；晶体的原子之比符合化学计量比。 实际晶体：与理想晶体有一些差异。或多或少地存在这样那样的缺陷。 晶体缺陷的存在，破坏了完美晶体的有序性，引起晶体内能U和熵S增加。 按缺陷在空间的几何构型可将缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷，它们分别取决于缺陷的延伸范围是零维、一维、二维还是三维来近似描述。每一类缺陷都会对晶体的性能产生很大影响，例如点缺陷会影响晶体的电学、光学和机械性能，线缺陷会严重影响晶体的强度、电性能等。 5.1 点缺陷 热缺陷 热缺陷的统计 杂质原子 色心 极化子 热缺陷 点缺陷__晶体周期性被破坏的程度在一个点附近1至几个原子间距范围. 热缺陷__由于晶格热运动而产生的点缺陷.包含空位、填隙原子和夫仑克尔缺陷。 1）空位（Schottky缺陷） 和填隙原子 热缺陷的统计 1) 热缺陷的数目 由热力学可知，在等温过程中，当热缺陷数目达到平衡时，系统的自由能取极小值： 杂质原子 当晶体中的杂质以原子状态在晶体中存在时, 也会引起晶格周期性的破坏, 形成点缺陷，称为杂质原子. 色心 极化子 当一个电子被引入到一个完整的晶体中时，会使得原来的周期性势场发生局部的畸变，这也构成一种点缺陷。这个电子吸引邻近的正离子，使之内移；又排斥邻近的负离子，使之外移，从而产生极化。离子的这种位移极化所产生的库仑引力趋于阻止电子从这区域逃出去，即电子所在处出现了趋于束缚这电子的势阱。这种束缚作用称为电子的自陷作用，相应的电子束缚态称为自陷态。 与杂质引进的局部能态不同，自陷态永远追随着电子从晶格中一处移到另一处，没有固定不动的中心。这样一个携带着晶格畸变的电子，称为极化子。 5.2 晶体中原子的扩散 扩散的宏观规律 扩散的微观机制 扩散过程必须满足连续性方程： １）恒定源扩散 2）保持表面浓度不变 3) 扩散系数与温度的关系 扩散系数与温度有密切关系，温度越高，扩散就越快。实验发现，若温度变化范围不太宽，那么，扩散系数与温度的关系为 5.3 线缺陷---位错 位错的描述, 柏格斯回路 刃型位错 螺型位错 螺型位错与晶体生长 螺位错： b平行于位错线． 位错与晶体的性质 几乎所有晶体中都存在位错，正是由于这些位错的运动导致金属在很低的外加切应力的作用下就出现滑移。因此，晶体中位错的存在是造成金属强度大大低于理论值的最主要原因。 不含位错的金属晶须的确具有相当接近于理论值的强度． 位错是晶体中的线缺陷，位错线在晶体中形成一畸变的管道．在管道内及其附近，由于晶格畸变有较大的应力集中，在晶体内形成应力场，位错线附近原子的能量高于正常格点上原子的能量，所以管道内及其附近的原子容易被杂质原子替代，且易被腐蚀。 晶体表面位错露头处最容易被腐蚀，选用适当的腐蚀液，可观察到形成锥形的腐蚀坑． 螺型位错在晶体表面形成　一生长台阶，新凝结的原子　最容易沿台阶集结，所以晶　体生长中容易沿着螺旋面生长出新的一层，而且依次排序不会把台阶消灭． 5.4 面缺陷 堆垛层错 孪晶界面 晶粒间界 堆垛层错 密堆积结构晶体中的某个原子层发生堆积错误，称为堆垛层错（stacking fault），如立方密积的fcc晶体中的正常堆积次序：···ABCABC ···， 若堆垛次序为···ABCABABC ···，则称发生层错。 孪晶界面 孪晶（twin)是一对连生的晶块，两晶块以特定的取向相交接形成的界面，称为孪晶界面（twin plane boundary）。 3. 晶粒间界 固体从蒸汽、溶液或熔体中结晶出来时，只有在一定条件下，例如有籽晶存在时，才能形成单晶，而大多数固体属于多晶体。多晶是由许多小晶粒组成。这些小晶粒本身可以近似看作单晶，且在多晶体内做杂乱排列。多晶体中晶粒与晶粒的交界区域称为晶粒间界. 晶界结构和性质与相邻晶粒的取向差有关，当取向差小于10?时，晶界称为小角晶界；当取向大于10?时晶界称为大角度晶界。实际的多晶材料一般都是大角度晶界，但晶粒内部的亚晶界则是小角晶界。最简单的小角晶界是对称倾斜晶界。 图中是简单立方结构晶体 中界面为（100）面的倾斜 晶界，相当于一系列平行 的、伯氏矢量在[100]方向 上的刃型位错线。 小角晶界具有阻止原子扩 散的作用。 5.5 离子晶体的导电性 AX型离子晶体中的点缺陷 离子在外电场中的运动 离子导电率 AX型离子晶体中的点缺陷 以正填隙离子为例 E F 刃位错：b垂直于位错线 　刃位错的特点： 　柏格斯矢量b垂直于位错线． 　有多余的半截原子面． 　有固定的滑移面． ? ? b A B 　螺位错的特点： 　柏格斯矢量