霍尔传感幅器的应用66856.pptVIP

霍尔测速仪;一、霍尔元件; 霍尔元件是根据霍尔效应进行磁电转换的磁敏元件，其典型的工作原理图如图所示。在金属或半导体薄片相对两侧面通以控制电流I，在薄片垂直方向上施加电场B，则在垂直于电流和磁场的方向上，即另两侧面会产生一个大小与控制控制电流I和磁场B乘; 积成正比的电压，这一现象称为霍尔效应。所产生的电压叫霍尔电压。即 ;----霍尔系数，它反映元件霍尔效应的强弱，由材料性质决定。单位体积内导电粒子数越少，霍尔效应越强，半导体比金属导体霍尔效应强，所以常采用半导体材料做霍尔元件；;图2霍尔效应原理;当磁场和环境温度一定时:霍尔电势与控制电流I成正比 当控制电流和环境温度一定时: 霍尔电势与磁场的磁感应强度B成正比 当环境温度一定时: 输出的霍尔电势与I和B的乘积成正比 测量以上电阻时，应在没有外磁场和室温变化的条件下进行。 ; 当磁场方向不垂直于元件平面，而是与元件平面的法线成一角度θ时，实际作用于元件上的有效磁场是其法线方向的分量，即; 敏度最高，输出较大，但受温度影响也较大；砷化铟和锗元件输出虽然不如锑化铟大，但温度系数小，线性度也好；砷化镓元件的温度特性和输出特性好，但价格贵。目前使用锑化铟霍尔元件的场合较多。 霍尔元件的结构与其制造工艺有关。例如，体型霍尔元件是将半导体单晶材料定向切片，经研磨抛光，然后用蒸发合金法或其他方法制作欧姆接触电极，最后焊上引线; 并封装。而膜式霍尔元件则是在一块极薄（0.2mm）的基片上用蒸发或外延的方法制成一种半导体薄膜，然后再制作欧姆接触电极，焊接线，并最后封装。由于霍尔元件的几何尺寸及电极的位置和大小等均直接影响它输出的霍尔电压，所以在制作时都要很严格的要求。;霍尔元件的主要技术参数如下：;; 由于霍尔电压随激励电流增大而增大，在应用中通常希望选用较大的激励电流,但激励电流增大，霍尔元件的功耗增大，元件温度升高，从而引起霍尔电压的温漂增大，因此，每种型号的元件均规定了相应的最大激励电流，它的数值从几毫安到几百毫安。; 灵敏度 它的数值约为10 左右。; 在额定激励电流的作用下，当外加磁场为零时，霍尔输出端之间的开路电压称为不等位电压，它是由于四个电极的几何尺寸不对称引起的，使用时多采用电桥法来补偿不等位电压引起的误差。; 分数称为霍尔电压温度系数，它与霍尔元件的材料有关。; （2）波形法：在通电的情况下，用示波器接到霍尔元件输出端，应有0.1Vp-p～0.3Vp-p的方波波形输出，其脉冲宽度应达到电路要求。 （3）寻迹法：在通电的情况下，用手转动相应电机或带盘，把寻迹器接在霍尔元件输出端，应在喇叭中能听到脉冲放电声，否则该元件损坏。; （4） 模拟法：拆下待测霍尔元件，在其电源正、负端上加上额定电压2V～5V，用强磁性物体靠近元件表面并上下晃动，同时用示波器或寻迹器在输出端测其输出信号，如无，则该元件损坏。; 技术的发展，目前霍尔传感器都已集成化，即把霍尔元件、放大器、温度补偿电路及稳压电源或恒流电源等集成在一个芯片上，由于其外形与集成电路相同，故又称霍尔集成电路。 霍尔传感器的霍尔材料仍以半导体硅作为主要材料，按其输出信号的形式可分为线性型和开关型两种。当霍尔元件; 作线性测量时，最好选用灵敏度低一点、不等位电压小、稳定性和线性度优良的霍尔元件。当霍尔元件作开关使用时，要选择灵敏度高的霍尔器件。; 随器等做在同一芯片上，输出电压较高，它输出模拟量。其特性如下图所示; 输出电压与外加磁场强度呈线性关系，如图3所示，可见，在B1～B2的磁感应强度范围内有较好的线性度，磁感应强度超出此范围时则呈现饱和状态。; 发器、OC门等组成，当外加磁场强度超过规定的工作点时，OC门由高阻态变为导通状态，输出为低电平，当外加磁场强度低于释放点时，OC门重新变为高阻态，输出高电平。它输出数字量。其特性如下图所示 其中 为工作点“开”的磁感应强度， 为释放点“关”的磁感应强度。; 当外加的磁感应强度B超过霍尔元件磁场工作点时，传感器输出低电平，当磁感应强度降到工作点以下时，传感器输出电平不变，一直; 要降到释放点时，传感器才由低电平跃变为高电平。与之间的滞后使开关动作更为可靠。 霍尔元件的磁场工作点 和释放点 之差 为磁感应强度的回差宽度 。