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一，光电效应 由光电效应方程式可知： （1）光电子能否产生，取决于光子的能量是否大于该材料的电子表面逸出功。 （2）低于“红限”的光入射，且保持频率成分不变，单位时间内发射的光电子数与入射光光强成正比。 （3）当h?A时，光电子逸出就具有初始动能，即使阳极电压为零，也会产生光电流。 2，内光电效应 内光电效应分为两类： 一类是半导体材料在光照的作用下，电阻率发生改变的现象。 依据该效应的器件：光敏电阻 另一类是PN结在光照作用下，导电性能发生改变的现象。 依据该效应的器件：光敏二极管、光敏三极管。 3，光生伏特效应 在光线作用下能使物体产生一定方向的电动势的现象称为光生伏特效应。 基于光生伏特效应的光电器件是光电池，它是一个有源器件。 二，光电器件及其特性 光电倍增管是是在光电阴极和阳极之间装了若干个“倍增极”，或称“次阴极”。倍增极上涂有在电子轰击下能发射更多电子的材料，每个倍增极的电势依此提高，从而使前一级发射的电子依此轰击下一级，形成倍增效应。 特性 光谱特性 伏安特性 此外，光电管还有温度特性、疲劳特性、频率响应、热稳定性、暗电流和衰老等特性指标。 光电倍增管选择应用时主要参数和特性：阴极和阳极的光照响应率、光电倍增管的放大倍数（增益） 、暗电流 、稳定性 、时间特性 、 2，光敏电阻 光敏电阻的典型结构。光敏电阻常做成图（b）所示的栅形结构，装在外壳中。两极间可加直流电压，也可加交流电压。图（c）为光敏电阻在电路中的表示符号。 光敏电阻的特点是灵敏度高、光谱响应范围宽，可从紫外一直延伸到红外，且体积小，性能稳定，因此广泛用于测试技术。 光敏电阻的材料种类很多，适用的波长范围也不一样，如硫化镉（CdS）、硒化镉（CdSe）适用于可见光（0.4?m? 0.75?m）的范围，氧化锌（ZnO）、硫化锌（ZnS）适用于紫外线范围，而硫化铅（PbS）、硒化铅（PbSe）、碲化铅（PbTe）则适用于红外线范围。 3，光敏二极管及光敏三极管 光敏三极管 结构与光敏二极管相似，不同的是它具有两个PN结。当光照射到光敏三极管的一个PN结附近时，产生与光敏二极管类似的光电流。光电流相当于三极管的基极电流，在三极管的电流放大作用下，集电极电流为光电流的?倍，因此光敏三极管的灵敏度比光敏二极管高。光敏三极管有NPN和PNP两种类型。 在光敏二极管的基础上，发展产生了APD管、PIN管这两种光电探测器。 APD管也称为雪崩光敏二极管 ：二极管反向偏置且反向电压超过击穿电压时，PN结内部电场的电位差增加到极限值，光子入射产生的载流子被此高电压电场加速，在与其它原子碰撞时给予它们能量，产生新的载流子。 PIN光敏二极管是在P型区和N型区之间设置有相当厚度的本征半导体层，使得原光敏二极管的耗尽层加宽，结电容减小，时间常数随之减小，特别是当反向偏置电压增大时，耗尽区进一步扩大。 PIN管可检测1ns的激光脉冲，频响达109Hz。因此PIN光敏二极管也称快速光敏二极管。 4，光电池 它有较大面积的PN结，当光照射在PN结上时，在结的两端出现电动势。 从用途上讲，光电池可分为两类：一类是把光电池用做电源，既常说的太阳能电池，要求其效率高、成本低、寿命长、功率大等；另一类是把它当作光电探测器，称为测量用光电池，要求它线性好、光谱响应范围合适、响应时间短等。 我们在此只讨论测量用光电池。 常用的光电池有硅光电池、硒光电池，它们分别是以硅和硒材料制成 两种特殊的光电池，即象限光电池和坐标光电池： 坐标光电池又称位置敏感探测器（PSD），有一维和二维之分。 5，半导体光电元件的特性 光敏电阻、光敏二极管和三极管、光电池这三种半导体光电传感器，各有原理和特征不同，但又有相似之处。在此把它们综合起来分析介绍。 （1）光电特性：是指光电元件产生的光电流与光照之间的关系。 （2）伏安特性：是指光照一定时，光电元件的端电压U与电流I的关系。 （3）光谱特性：指光电元件灵敏度对不同波长光的选择性。 （4）频率特性：是指它们的输出电信号与调制光频率的关系，反映的时间响应，也可用时间常数来表示。 7，测量电路及应用 光敏电阻的应用和器件： 工业控制、机电装备及产品 光电码盘 光电码盘 第三章作业 3-4,3-5,3-7,3-13 思考题 1）光电探测元件的工作原理基于哪几个效应？ 2）光电探测元件中哪些是能量控制型、哪些是能量转换型器件？ 3）光敏电阻的基本特性有哪几个？ 4）光敏二极管的偏置电压极性如何？ 5）光电池与光敏二极管哪一个适合探测快速变化信号？ 第二章习题参考答案 3.7 半导体敏感元件传感器 3.7 半导体敏感元件传感器 光电倍增管的测量电路 自动测光控制电路:自动照相机 SW BG1 B