晶体管原牵理第五章.pptVIP

* 实测表明，当 VDS VDsat 后，ID 随 VDS 的增大而略有增大，也即 MOSFET 的增量输出电阻 不是无穷大而是一个有限的值。 3.3.2 饱和区的特性 通常采用两个模型来解释 ID 的增大。 MOSFET的直流电流电压方程 第三节 * 当 VDS VDsat 后，沟道中满足 V = VDsat 和 Qn = 0 的位置向左移动 ?L，即： 1、有效沟道长度调制效应 已知当 VDS = VDsat 时，V (L) = VDsat ，Qn (L) = 0 。 这意味着有效沟道长度缩短了。 MOSFET的直流电流电压方程 第三节 * L 0 y VDsat V(y) ?L ① ② ③ 图中，曲线 ① 代表 VDS VDsat ， 曲线 ② 代表 VDS = VDsat ， 曲线 ③ 代表 VDS VDsat 而 V ( L - ?L ) = VDsat 。 MOSFET的直流电流电压方程 第三节 * 当 VDS VDsat 后，可以将 VDS 分为两部分，其中的 VDsat 降在有效沟道长度 ( L - ?L ) 上，超过 VDsat 的部分 ( VDS - VDsat ) 则降落在长度为 ?L 的耗尽区上。根据耗尽区宽度公式可计算出 ?L 为： 由于 ，当 L 缩短时，ID 会增加。 MOSFET的直流电流电压方程 第三节 * 若用 I’Dsat 表示当 VDS VDsat 后的漏极电流，可得： 当 L 较长或 NA 较大时， 较小，电流的增加不明显， rds 较大 ；反之，则电流的增加较明显，rds 较小。 MOSFET的直流电流电压方程 第三节 * 对于L 较短及 NA 较小的 MOSFET，当 VDS VD sat 后，耗尽区宽度接近于有效沟道长度，这时从漏区发出的电力线有一部分终止于沟道上，使沟道电子的数量增多，从而导致电流增大。可以把此看作是在漏区与沟道之间存在一个电容 CdCT ，当 VDS 增加 ?VDS 时，沟道区的电子电荷面密度的增量为 2、漏区静电场对沟道的反馈作用 * * 于是可得 N 沟 MOSFET 的阈电压为 MOSFET的阈值电压 第二节 * 注意上式中，通常 VS 0，VB 0 。 当 VS = 0 ，VB = 0 时， 这与前面得到的 MOS 结构的阈电压表达式相同。 MOSFET的阈值电压 第二节 * 称为 N 型衬底的费米势。 同理， P 沟 MOSFET 的阈电压为 式中， ?FN 与 ?FP 可以统一写为 ?FB ，代表 衬底费米势。 MOSFET的阈值电压 第二节 * 2、影响阈电压的因素 当 VS = 0 ，VB = 0 时 ，N 沟道与 P 沟道 MOSFET 的阈电压可统一写为 a) 栅氧化层厚度 TOX 一般来说，当 TOX 减薄时， |VT | 是减小的。 早期 MOSFET 的 TOX 的典型值为 150 nm ，目前高性能MOSFET 的 TOX 可达 10 nm 以下。 MOSFET的阈值电压 第二节 * b) 衬底费米势 ?FB ?FB 与掺杂浓度有关，但影响不大。室温下，当掺杂浓度为 1015 cm-3 时， 约为 0.3 V 。 MOSFET的阈值电压 第二节 * ?MS 与金属种类、半导体导电类型及掺杂浓度有关。对于Al ~ Si 系统， c) 功函数差 ?MS - 0.6 V ～ - 1.0 V ( N 沟 ) - 0.6 V ～ - 0.2 V ( P 沟 ) （见图 5-15） 当 N = 1015 cm-3 时， - 0.9 V ( N 沟 ) - 0.3 V ( P 沟 ) ?MS = ?MS = MOSFET的阈值电压 第二节 * d) 耗尽区电离杂质电荷