模电课件知第五章.pptVIP

1. 直流偏置及静态工作点的计算 （2）带源极电阻的NMOS共源极放大电路 饱和区 需要验证是否满足 5.2.1 MOSFET放大电路 例5.2.2：电路如图5.2.2所示，设MOS管的参数为VT=1V，Kn=500μA/V2。电路参数为VDD=5V，-VSS=-5V, Rd=10kΩ,R=0.5kΩ,ID=0.5mA。若流过Rg1、Rg2的电流是ID的1/10,试确定Rg1和Rg2的值。 图5.2.2带源极电阻的NMOS共源极放大电路 解： 设MOS管工作于饱和区，则有 MOS管的确工作于饱和区，与最初假设一致 电流源偏置 1. 直流偏置及静态工作点的计算 静态时，vI＝0，VG ＝0，ID ＝I （假设在饱和区） 5.2.1 MOSFET放大电路 （验证在饱和区） 2. 图解分析 由于负载开路，交流负载线与直流负载线相同 5.2.1 MOSFET放大电路 3. 小信号模型分析 （1）模型 静态值 （直流） 动态值 （交流） 非线性失真项 当，vgs 2(VGSQ- VT )时， 5.2.1 MOSFET放大电路 5.2.1 MOSFET放大电路 场效应管的小信号模型 (a)N沟道增强型MOS管 (b)?=0,rds=∞时的低频小信号模型 (c)??0,rds为有限值的低频小信号模型 条件：? 信号是微变量 ? 管子工作在线性区 例5.2.5：电路如图5.2.2所示，设MOS管的参数为VT=1V，Kn=500μA/V2,λ=0。电路参数为VDD=5V，-VSS=-5V, Rd=10kΩ,R=0.5kΩ,Rg1=150kΩ 、Rg2=47kΩ,Rs=4kΩ。试确定电路的电压增益Au、源电压增益Aus、输入电阻Ri和输出电阻Ro。 图5.2.2带源极电阻的NMOS共源极放大电路 s 图5.2.2的小信号等效电路 放大电路分析（例5.2.5） s 图5.2.2的小信号等效电路 例5.2.2中已经求出Q点 例5.2.6：电路如图5.2.10a所示，设耦合电容对信号频率可视为交流短路，场效应管工作在饱和区，rds很大，可忽略。试画出其小信号等效电路，求出其输入电阻、小信号电压增益、源电压小信号电压增益和输出电阻。 图5.2.10 NMOS源极跟随器 图5.2.10 所示电路的小信号等效电路 s d rds – + g + – vs R vgs + – gmvgs v0 Rs Rg2 Rg1 图5.2.10 所示电路的小信号等效电路 s d rds – + g + – vs R vgs + – gmvgs v0 Rs Rg2 Rg1 解： s d rds – + g + – vs R vgs + – gmvgs v0 Rs Rg2 Rg1 例5.2.6：电路如图5.2.10a所示，设耦合电容对信号频率可视为交流短路，场效应管工作在饱和区，rds很大，可忽略。试画出其小信号等效电路，求出其输入电阻Ri、小信号电压增益Au、源电压小信号电压增益Aus和输出电阻Ro。 图5.2.10 所示电路的小信号等效电路 s d rds – + g + – vs R vgs + – gmvgs v0 Rs Rg2 Rg1 例5.2.6：电路如图5.2.10a所示，设耦合电容对信号频率可视为交流短路，场效应管工作在饱和区，rds很大，可忽略。试画出其小信号等效电路，求出其输入电阻Ri、小信号电压增益Au、源电压小信号电压增益Aus和输出电阻Ro。 解： 5.3 结型场效应管 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 1.结构和符号 (c) N沟道结型场效应晶体管图形符号 g s d P+ S G D N N P+ (b) N沟道结型场效应晶体管示意图 栅极 源极 漏极 5.3.1 JFET的结构和工作原理 箭头表示PN结方向（P?N） g s d (b) N+ s g d P P N+ (a) 源极 漏极 栅极 (a) P沟道结型场效应晶体管内部结构 (c) P沟道结型场效应晶体管图形符号 N- S G D P P N- (b) P沟道结型场效应晶体管示意图 2. 工作原理(以N沟道JFET为例) VGG s g d N N P+ P+ － ＋ － ＋ VGS VDD ＋ － ID 场效应晶体管的工作原理 结型场效应晶体管施加偏置电压： 栅极(g)和源极(s)间加反偏电压 VGS≤0 漏极(d)与源极(s)间加正向电压 VDS0 在漏源电压VDS的作用下，N型沟道中的载流子运动，产生沟道电流ID。当