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PN 结——伏安特性曲线 ID V VD(on) -IS Si Ge VD(on) = 0.7 V IS = (10-9 ~ 10-16) A 硅 PN 结 VD(on)= 0.25 V 锗 PN 结 IS = (10-6 ~ 10-8) A V VD(on)时 随着V ? 正向R 很小 I ?? PN 结导通； V VD(on)时 IR 很小(IR ? -IS) 反向R 很大 PN 结截止。 温度每升高 10℃，IS 约增加一倍。 温度每升高 1℃， VD(on) 约减小 2.5 mV。 O 1.2.3　PN 结的击穿特性 |V反|? = V(BR)时， ? IR 急剧??? ， ? PN 结反向击穿。 雪崩击穿 齐纳击穿 PN 结掺杂浓度较低(l0 较宽) 发生条件 外加反向电压较大( 6 V) 形成原因： 碰撞电离。 V(BR) ID V 形成原因： 场致激发。 发生条件 PN 结掺杂浓度较高(l0 较窄) 外加反向电压较小( 6 V) O 因为 T ? ? 载流子运动的平均自由路程 ? ?V(BR)?。 击穿电压的温度特性 雪崩击穿电压具有正温度系数。 齐纳击穿电压具有负温度系数。 因为 T ? ? 价电子获得的能量? ?V(BR)?。 稳压二极管 利用 PN 结的反向击穿特性，可制成稳压二极管。 要求：IZmin IZ IZmax VZ ID V IZmin IZmax + - VZ O 稳压仿真 1.2.4　PN 结的电容特性 势垒区内空间电荷量随外加电压变化产生的电容效应。 势垒电容 CT 扩散电容 CD 　　阻挡层外(P 区和 N 区)贮存的非平衡电荷量,随外加电压变化产生的电容效应。 CT(0) CT V O xn 少子浓度 x O -xp P+ N PN 结电容 PN 结反偏时，CT CD ，则 Cj ? CT PN 结总电容： Cj = CT + CD PN 结正偏时，CD CT ，则 Cj ≈ CD 故：PN 结正偏时，以 CD 为主。 故：PN 结反偏时，以 CT 为主。 通常：CD ? 几十 pF ~ 几千 pF。 通常：CT ? 几 pF ~ 几十 pF。 1.3　晶体二极管电路分析方法 　　晶体二极管的内部结构就是一个 PN 结。就其伏安特性而言，它有不同的表示方法，或者表示为不同形式的模型： 便于计算机辅助分析的数学模型 适于任一工作状态的通用曲线模型 直流简化电路模型 交流小信号电路模型 电路分析时采用的 1.3.1　晶体二极管的模型 数学模型——伏安特性方程式 理想模型： 修正模型： 其中：n —非理想化因子 I 正常时：n ? 1 I 过小或过大时：n ? 2 rS — 体电阻 + 引线接触电阻 + 引线电阻 注意：考虑到阻挡层内产生的自由电子空穴对及表面 　　　漏电流的影响，实际 IS ?? 理想 IS。 　 晶体二极管 曲线模型—伏安特性曲线 V(BR) I /mA V/V VD(on) -IS 当 V VD(on) 时 二极管导通 当 V VD(on) 时 二极管截止 当反向电压 V ? V (BR) 时 二极管击穿 晶体二极管的伏安特性曲线，通常由实测得到。 简化电路模型 折线等效：在主要利用二极管单向导电性的电路中， 　　　　　实际二极管的伏安特性。 I V VD(on) I V O a b I V VD(on) a b VD(on) RD D + - 理想状态：与外电路相比，VD(on) 和 RD 均可忽略时， 　　　　　二极管的伏安特性和电路符号。 开关状态：与外电路相比，RD 可忽略时的伏安特性。 简化电路模型：折线等效时，二极管的简化电路模型。 小信号电路模型 rs rj Cj I V Q rs：PN 结串联电阻，数值很小。 rj：为二极管增量结电阻。 Cj：PN 结结电容，由 CD 和 CT 两部分构成。 注意：高频电路中，需考虑 Cj 影响。因高频工作时， 　　　Cj 容抗很小，PN 结单向导电性会因 Cj 的交流 　　　旁路作用而变差。 图解法 　　分析二极管电路主要采用：图解法、简化分析法、小信号等效电路法。(重点掌握简化分析法) 写出管外电路直流负载线方程。 1.3.2　晶体二极管电路分析方法 　　利用二极管曲线模型和管外电路所确定的负载线，通过作图的方法进行求解。 要求：已知二极管伏安特性曲线和外围电路元件值。 分析步骤： 作直流负载线。 分析直流工作点。 优点：直观。既可分析直