模电 第3付章 场效应管 201010.pptVIP

微变等效电路 电压增益 2）动态分析： * 输入电阻 输出电阻 * 例3-3　图示电路, 计算Ａｕ、Ｒｉ和ＲＯ，已知 解： 由于gm值已给，因此不需要进行静态分析。 * 动态分析： 1）电压增益 * 共源电路的电压增益比共射电路小，输入电阻大 输入与输出电阻 * （２）共漏放大电路 静态分析 * ( ,源极跟随器) 微变等效电路 ②输入电阻 ①电压增益 动态分析 * ③输出电阻 断开负载，输入信号短路，输出端加电压，得到求输出电阻的电路　 输出电阻较小 （２）共漏放大电路 * 解 (1) 例３-４图示放大电路, UGS(off)=-4V, IDSS=5mA (1)求静态工作点IDQ和UGSQ (2)计算Au、Ri和ＲＯ * 计算gm 电压增益 * 输入电阻和输出电阻 * 场效应管的三种基本接法： 共源、共漏和共栅分别与双极型晶体管的共射、共集和共基对应，相应的输出量与输入量之间的大小和相位关系一致，可以实现反相电压放大、电压跟随、电流跟随的功能。 * * d N沟道符号 B s g P沟道符号 d B s g MOS管符号 D B S G N沟道符号 D B S G P沟道符号 耗尽型MOS管符号 增强型MOS管符号 * 4 3 2 1 0 4 8 12 UGS =1V –2V –3V 输出特性 转移特性 N沟道耗尽型MOS管的特性曲线 1 2 3 0V –1 0 1 2 –1 –2 –3 UGS / V 2. 特性曲线 ?ID ?UGS UGs(off) UDS / V UDS =10V ID /mA ID /mA * 场效应管的符号及特性 76页 结型N沟道 结型P沟道 NMOS增强型 NMOS耗尽型 PMOS增强型 PMOS耗尽型 （+） （+） （+） （+） （-） （-） （-） （-） * * 判断N沟道结型场效应管的工作状态 UGS（off） 0 UGSUGS（off） ：夹断区 UGSUGS（off） ， UGDUGS（off） ：恒流区 UGSUGS（off） ， UGDUGS（off） ：可变电阻区 * 判断MOS管的工作状态 N沟道增强型： UGS（th） 0 UGSUGS（th） ：夹断区 UGSUGS（th） ， UGDUGS（th） ：恒流区 UGSUGS（th） ， UGDUGS（th） ：可变电阻区 * P沟道增强型： UGS（th） 0 UGSUGS（th） ：夹断区 UGSUGS（th） ， UGDUGS（th） ：恒流区 UGSUGS（th） ， UGDUGS（th） ：可变电阻区 测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位及它们的开启电压如表所示。试分析各管的工作状态（夹断区、恒流区、可变电阻区）。 管号 UGS(th)/V Us/V UG/V UD/V 工作状态 T1 4 -5 1 3 T2 -4 3 3 10 T3 -4 6 0 5 恒流区 夹断区 可变电阻区 增强型 NMOS PMOS * 3.1.3 场效应管的主要参数 1、直流参数 （1）开启电压UGS(th) UDS为固定值能产生漏极电流ID所需的栅-源电压UGS的最小值。 增强型MOS管的参数。 （NMOS管为正，PMOS管为负） * （ 2）夹断电压 UGS(off) UDS为固定值使漏极电流近似等于零时所需的栅-源电压。 结型场效应管和耗尽型MOS管的参数。 （NMOS管为负，PMOS管为正）。 * （4）直流输入电阻RGS（DC） 栅-源电压与栅极电流的比值，其值很高, 一般为107-1010左右。 （3）饱和漏极电流IDSS 对于耗尽型MOS管,在UGS =0情况下产生 预夹断时的漏极电流。 * 2、交流参数 gm是衡量栅-源电压对漏极电流控制能力的一个重要参数。 （1）低频跨导 gm 管子工作在恒流区并且 UDS为常数时，漏极电流的微变量与引起这个变化的栅-源电压的微变量之比称为低频跨导，即 * （2）交流输出电阻rds rds反映了uDS对iD的影响，是输出特性曲线上Q点处切线斜率的倒数． rds在恒流区很大。 * 3、极限参数 （1）最大漏极电流IDM (２)最大漏源电压U DS(BR) (3)最大栅源电压U GS(BR) (4)最大耗散功率P DM * 3.1.4 场效应管与双极型晶体管的比较 场效应管的栅极g、源极s、漏极d分