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光电式传感器在汽车上的应用 第一节 光电式式传感器 光敏二极管在电路中一般是处于反向工作状态,在没有光照射 时，反向电阻很大，反向电流很小，这反向电流称为暗电流， 当光照射在PN结上，光子打在PN结附近，使PN结附近产生光 生电子和光生空穴对，它们在PN结处的内电场作用下作定向运 动，形成光电流。光的照度越大，光电流越大。因此光敏二极 管在不受光照射时处于截止状态，受光照射时处于导通状态。 光敏二极管接线图 第一节 光电式式传感器 光敏三级管与一般三级管很相似，具有两个PN结，如图（a） 所示，只是它的发射极一边做得很大，以扩大光的照射面积。 第一节 光电式式传感器 光敏晶体管接线如图（b）所示，大多数光敏晶体管的基极无 引出线，当集电极加上相对于发射极为正的电压而不接基极时 ，集电结就是反向偏压， 当光照射在集电结时，就会在结附近 产生电子—空穴对，光生电子被拉到集电极，基区留下空穴， 使基极与发射极间的电压升高，这样便会有大量的电子流向集 电极，形成输出电流，且集电极电流为光电流的β倍，所以光 敏晶体管有放大作用。 第一节 光电式式传感器 （2） 基本特性 光谱特性 光敏管的光谱特性是指在一定照度时， 输出的光 电流（或用相对灵敏度表示）与入射光波长的关系。硅和锗 光敏二（晶体）极管的光谱特性曲线如下图所示。从曲线 可以看出，硅的峰值波长约为0.9μm，锗的峰值波长约为 1.5 μm， 此时灵敏度最大，而当入射光的波长增长或缩短 时，相对灵敏度都会下降。一般来讲， 锗管的暗电流较大， 因此性能较差， 故在可见光或探测赤热状态物体时，一般都 用硅管。但对红外光的探测， 用锗管较为适宜。 第一节 光电式式传感器 伏安特性 图（a）为硅光敏二极管的伏安特性，横坐标表示 所加的反向偏压。当光照时，反向电流随着光照强度的增大而 增大， 在不同的照度下，伏安特性曲线几乎平行，所以只要没 达到饱和值，它的输出实际上不受偏压大小的影响。 硅光敏管的伏安特性 (a) 硅光敏二极管; (b) 硅光敏晶体管 第一节 光电式式传感器 图（b）为硅光敏晶体管的伏安特性。 纵坐标为光电流， 横坐 标为集电极-发射极电压。 从图中可见， 由于晶体管的放大作 用， 在同样照度下， 其光电流比相应的二极管大上百倍。 硅光敏管的伏安特性 (a) 硅光敏二极管; (b) 硅光敏晶体管 第一节 光电式传感器 频率特性 光敏管的频率特性是指光敏管输出的光电流（或 相对灵敏度）随频率变化的关系。光敏二极管的频率特性是半 导体光电器件中最好的一种，普通光敏二极管频率响应时间达 10μs。光敏晶体管的频率特性受负载电阻的影响，下图为光敏 晶体管频率特性，减小负载电阻可以提高频率响应范围，但输 出电压响应也减小。  光敏晶体管的频率特性 第一节 光电式式传感器 温度特性 光敏管的温度特性是指光敏管的暗电流及光电流与 温度的关系。光敏晶体管的温度特性曲线如下图所示。 从特 性曲线可以看出，温度变化对光电流影响很小(图(b))，而对暗 电流影响很大(图(a))， 所以在电子线路中应该对暗电流进行温 度补偿，否则将会导致输出误差。 光敏晶体管的温度特性 第一节 光电式传感器 四、光电传感器的应用 1、光电传感器的结构和原理 光电式传感器的基本组成 光源 光学通路 光电器件 测量电路 1．光源―白炽灯、激光器、发光二极管 ， 射线等 2．光学通路－透镜、棱镜、光栅等 第一节 光电式传感器 光电传感器的基本类型 1．透射式 A 映射 第一节 光电式传感器 A 2．反射式 第一节 光电式传感器 A 如光电高温计和炉子燃烧监视装置 3．辐射式 第一节 光电式传感器 A 4．遮挡式 光源与光敏器件间的光路上，有物体时，光路被遮挡，没有物体，光路通畅。 开关 光电继电器 计数器 第一节 光电式传感器 2、应用 1） 火焰探测报警器 火焰探测报警器电路图 汽 车 传 感 器 * 物 理 科 学 与 技 术 学 院 * 第九章 光电式 此种感器都是利用光而研制的。 光电式传感器是基于光电效应将光信号转换成电信号的一种传感器件。具有响应快、结构简单、使用方便等特点。 第一节 光电式传感器 原理 首先把被测量的变化转换成光信号的变化，然后通过光电器件变换成电信号。 辐射源 光学通路 光电器件 输出 被测量 被测量 特性 频谱宽、非接触测量、体积小、重量轻等 第一节 光电式式传感器 一、光电效应与光电器件 光电传感器是一种将光量的变化转换为电量变化的传感器。它的物理基础就是光电效应。光电效应分为外光电效应和内光电效应两大类。 1. 外光电效应 在光线作用下，物