第6章半导体二极沈管和三极管.pptVIP

6.1 半导体基本知识 6.1.2 N型半导体和P型半导体 6.1.2 N型半导体和P型半导体 6.1.2 N型半导体和P型半导体 例6.3 有两个稳压管DZ1和DZ2，其稳定电压分别为5.5V和8.5V，正向压降均为0.5V，现分别要得到3V、6V、14V几种稳压值，试画出其电路图。 解 利用稳压管反向导通时两端电压等于它的稳定电压，正向导通时两端电压等于它的正向压降，按图6.13(a)、（b）、（c）连接，可分别得到3V、6V、14V几种稳定电压值。图中R是限流电阻，不能缺少。假设E大于14V。 6.4 发光二极管 ?发光二极管（Light Emiting Diode），简称LED，是一种将直接把电能转换成光能的器件，没有热交换过程。它在正向导通时会发光，导通电流增大时，发光亮度增强。其外形和电路符号分别如图6.14(a)、（b）所示。 ? ? ? ? ? ? ? ? ? 6.5.1 基本结构 三极管的结构，最常见的有平面型和合金型两类。图6.16(a)为平面型（主要为硅管），图6.16(b)为合金型（主要为锗管）。都是通过一定的工艺在一块半导体基片上制成两个PN结，再引出三个电极，然后用管壳封装而成。 (a) (b) 6.5 半导体三极管 6.5.1 基本结构(NPN型) 发射结 集电结 发射区 基区 集电区 C N N P B E C C E B 基极 集电极 发射极 B N N P E 发射结 集电结 B P P N 发射区 基区 集电区 E C P P N B E C C E B 6.5.1 基本结构(PNP型) 集电极 发射极 基极 6.5.2 电流分配和放大原理 μA mA mA IB IC IE RB EC + + _ _ EB B C E 3DG6 共发射极接法 晶体管电流测量数据 IB/mA 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 IC/mA 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 IE/mA 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 由此实验及测量结果可得出如下结论： （1） IE=IC+IB 符合基尔霍夫电流定律。 （2） IE和IC比IB 大的多。 （3）当IB=0（将基极开路）时， IE=ICEO， ICEO0.001mA 用载流子在晶体管内部的运动规律来解释上述结论。 6.5.2 电流分配和放大原理 外部条件：发射结加正向电压；集电结加反向电压。 UBE0,UBC0,UBC=UBE-UCE,UBEUCE RB EC + + _ _ EB E B C N N P 6.5.2 电流分配和放大原理 发射结正偏 扩散强 E区多子（自由电子）到B区 B区多子（空穴）到E区 穿过发射结的电流主要是电子流 形成发射极电流IE IE是由扩散运动形成的 1 发射区向基区扩散电子，形成发射极电流IE。 6.5.2 电流分配和放大原理 2 电子在基区中的扩散与复合，形成基极电流IB E区电子到基区B后，有两种运动 扩散IEC 复合IEB 同时基区中的电子被EB拉走形成 IB IEB=IB时达到动态平衡 形成稳定的基极电流IB IB是由复合运动形成的 RB EC + + _ _ EB E B C 6.5.2 电流分配和放大原理 3 集电极收集电子，形成集电极电流IC 集电结反偏 阻碍C区中的多子（自由电子）扩散，同时收集E区扩散过来的电子 有助于少子的漂移运动，有反向饱和电流ICBO 形成集电极电流IC RB EC + + _ _ EB E B C RB EC + + _ _ EB E B C IC IB IE ICBO IBE IEC 6.5.2 电流分配和放大原理 6.5.3 特性曲线 用来表示该晶体管各极电压和电流之间相互关系、反映晶体管的性能，是分析放大电路的重要依据。 以共发射极接法时的输入特性和输出特性曲线为例。 μA mA V IB IC RB EC + + _ _ EB B C E 3DG6 V + _ + _ UBE UCE * 电工电子技术基础 武汉职业技术学院机械工程系 第6章 半导体二极管和三极管 目 录 1.1 电路和电路模型 1.2 电路基本物理量 1.3 电阻元件、电感元件和电容元件 1.4 电压源、电流源及其等效变换 1.5 基尔霍夫定律 1.6 复杂电路的分析和计算 目 录 6.1 半导体