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第7章 半导体器件 7－1 半导体二极管 一、N型和P型半导体 半导体：硅、锗、砷化镓。 物质的导电性能决定于原子 结构。就硅来说，其外层的电子 为4个，而外层需要8个电子才能 达到稳定。因此，在单晶硅中产 生共价键结构。 纯净的半导体（本征半导体）的导电性能是很差的。 N型半导体：若在单晶硅中掺入少量的5价元素，如 磷、砷、锑等。那么在磷和硅组成共价键时就会多出一 个电子来，成为自由电子。这样的半导体称为电子型半 导体，即N型半导体。 P型半导体：如果在单晶硅中掺入少量的三价元素， 如硼、铝，那么在硼和硅组成共价键时就形成空穴。这 样的半导体称为空穴型半导体，即P型半导体。 载流子：自由电子和空穴都是载运电荷的粒子，统 称为载流子。 空穴：由于热运动转化为电子的动能，少数价电子 可能挣脱共价键的束缚成为自由电子，在原来的位置上 留下空位。 二、PN结及其单向导电性 PN结：将一块硅片的一边做成P型半导体，另一边 做成N型半导体，两种半导体的交界面形成PN结。 P型区接电源的正极， N型区接电源的负极，PN 接呈现低电阻，称为正向 偏置。 反过来接，PN结呈现 高电阻，称为反向偏置。 三、二极管的结构和符号 二极管的内部结构有点接触型和面接触型。 二极管的外形，结构和符号如图所示。 理想二极管： （1）正向管压降为零 （2）反向电阻为无穷大。 五、二极管的主要参数 (1) 最大整流电流IFM (2) 最高反向工作电压URM (3) 反向电流IR (4) 最高工作频率fM 六、二极管的整流特性 1. 单相半波整流电路 将交流电转变为直流电的过程称为整流。 （1）工作原理 在u2的正半周，二极管 正向导通，有电流流过负载。 在u2的负半周，二极管 反向截至，负载上无电流流 过。 （2）负载电压和电流的计算 输出直流电压的平均值与 变压器次级电压有效值的关系： （3）整流二极管的选择 二极管的最大整流电流应为： 二极管反向工作峰值应为： 2. 单相桥式全波整流电路 （1）工作原理 u2处于正半周时，D1，D3导通，D2，D4反向截至。 u2处于负半周时，D2，D4导通，D1，D3反向截至。 （2）负载电压和电流的计算 在全波整流电路中，负载上的电压和电流应是半波 整流时的两倍，即 （3）整流二极管的选择 二极管的最大整流电流应为： 二极管反向工作峰值应为： 例7-1 有一负载需要直流电压Uo=40V，电流Io=4A。 计算采用半波整流电路和桥式全波整流电路时，整流二 极管的电流ID和最高反向电压UDM以及电源变压器次级电 压的有效值U2。 解：(1)采用半波整流电路 根据(7-1)、(7-3)、(7-4)可分别得到 （2）采用桥式全波整流电路 根据式(7-5)、(7-7)、(7-8)可分别得到 七、滤波电路 整流输出的电压为脉动电压，含有直流分量和交流 分量。滤波电路就是滤掉其中的交流成分。 常用的滤波电路有电容滤波和电感滤波。 1. 电容滤波电路 （1）工作原理 u2的正半周，电容器C充电。 u2的负半周，电容器C放电，设计使得放电回路的 时间常数较大。 （2）滤波电容C的选择与负载上直流电压的估算 滤波电容C越大，负载电阻RL越大，输出电压越平 滑。一般取： 半波整流滤波 全波整流滤波 通常采用电解电容器。负载断开时，电容器两端的 电压将升高到 接入滤波电容器后，负载直流电压升高，按下式估 算： 半波整流滤波 全波整流滤波 例7-2 有一半波整流电容滤波电路,已知交流电压频 率f=50Hz。要求输出直流电压Uo=30V，电流Io=80mA。估 算整流二极管及滤波电容器的参数。 解：(1) 整流二极管 通过二极管的电流 变压器次级电压 二极管承受的最大反向电压 (2) 滤波电容