第8章半大导体元件1.pptVIP

晶体管的三个工作区域 状态 UBE IC UCE 截止 ＜Uon ICEO UCC 放大 ≥ Uon β IB ≥ UBE 饱和 ≥ Uon ＜β IB ＜ UBE §8.3.3 二极管、稳压管、三极管最基本的应用 一、二极管单相整流电路 二、稳压管稳压电路 三、三极管 （三极管共射极放大电路与射极跟随器） 构成晶体管开关电路 构成晶体管放大电路 放大电路将在学完数字电路后讲述 uo (4) 输出电压平均值（Uo）： (1) 输出电压波形： u1 u2 a T b D RL uo iL (3) 二极管上承受的最高电压： (2) 二极管上的平均电流： ID = IL 1、单相半波整流 一、二极管的应用 RL ui uo ui uo t t 若Ui=220V, RL=10? 要买一个什么样的管子 ? diode 1、单相半波整流 uD iD uR iR ui I ui uR t t t iD 2、单相全波整流 若Ui=220V, RL=10? 要买一个什么样的管子 ? diode 单相桥式整流电路的另一种画法 桥式整流电路 + - u2正半周时电流通路 u1 u2 T D4 D2 D1 D3 RL uo * 电子技术 第八章 半导体器件 模拟电路部分 第八章 半导体器件 8.1 半导体的基础知识 8.2 PN结及半导体二极管 8.3 稳压管 8.4 半导体三极管 良好的导电材料有： 保护性导电材料有： 润滑性的导电材料有： 电阻性的导电材料有： §8.1 半导体的基本知识 15.1.1 概述 Ag Au Cu Al Mo W Zn Ni Pb Sn 熔点低的合金 C 石墨 碳 Fe Ni Al Cr 合金 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘。 电阻率 如何衡量导电能力？ 气体和一部分液体以及除去金属与碳以外的几乎所有固体 如何衡量绝缘能力？ 绝缘耐压强度 1mm厚，电压的千伏值 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体. Ge Si Se 砷化镓和一些硫化物、金属氧化物等。 导电特性 导电能力明显变化 受热 光照 掺入某些杂质 一、本征半导体及其结构: 完全纯净的,具有晶格结构的半导体称征半导体. Ge Si 现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。 8.1.2本征半导体 本征半导体结构： 在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。 硅和锗的晶体结构： 硅的共价键结构 由价电子组成的共价键 Si Si Si Si +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 束缚电子 +4 +4 +4 +4 空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴也是载流子。 本征半导体中 有两种载流子 自由电子 空穴 谁多谁少？ 温度越高，光照越强, 载流子的浓度越高。 温度是影响半导体导电性能的一个重要的外部因素 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 本征半导体中 一样多 Intrinsic Semiconductor 有办法让某种载流子多些吗? 五价元素 自由电子称多数载流子（多子） 空穴称为少数载流子（少子) +4 +4 +5 +4 negative N 型半导体 磷 +4 +4 +3 +4 三价元素 空穴是多子，电子是少子 positive P 型半导体 硼 P 型半导体 N 型半导体 杂质半导体 五价元素 三价元素 Extrinsic Semiconductor 参杂浓度将大大改变半导体的导电性能 8.1.3 杂质半导体 杂质半导体的示意表示法 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － P 型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N 型半导体 在同一片半导体基片上，一半扩散进去五价元素，一半扩散进去三价元素情况会如何？ PN 结的形成 扩散，漂移，空间电荷层（耗尽层〕，动态平衡，内建电场。 §8.2 PN 结 基本知识 8.2.1 － + + + + － － － P N PN 结会有什么样的 电学特性？ － － － － + + + + R E PN