第9章 磁音敏式传感器.pptVIP

习题 第1题 第4题 主要特性（普通三极管） 伏安特性：不同磁场作用下所加正向偏压与二极管流过电流的关系。 磁电特性：输出电压的变比与外加磁场的关系。 温度特性：温度系数的影响大——温度补偿。 3、磁敏二极管和磁敏三极管的应用 测量弱磁场、电流、转速、位移等物理量，也可用于磁力探伤、接近开关、位置控制等。 漏磁探伤仪 本章小结： 1.工作原理及特性　　　 2.测量电路（霍尔元件） 3.传感器的应用 作业： P190-1、4无 在盒体的O点上固定均质弹簧片S,片S的中部U处装一惯性块M，片S的末端b处固定测量位移的霍尔元件H，H的上下方装上一对永磁体，它们同极性相对安装。盒体固定在被测对象上，当它们与被测对象一起作垂直向上的加速运动时，惯性块在惯性力的作用下使霍尔元件H产生一个相对盒体的位移，产生霍尔电压VH的变化。可从VH与加速度的关系曲线上求得加速度。 图2所示为一种霍尔机械振动传感器。图中，1为霍尔元件，固定在非磁性材料的平板2上，平板2紧固在顶杆3上，顶杆3通过触点4与被测对象接触，随之做机械振动。元件1置于磁系统6中。当触头4靠在被测物体上时，经顶杆3，平板2使霍尔元件在磁场中按被测物的振动频率振动，霍尔元件输出的霍尔电压的频率和幅度反映了被测物的振动规律。 叶轮在流体推动下旋转，带动螺杆旋转，使磁系统产生上下移动。流速高则位移量大。用霍尔器件检出位移而获得流速和流量。 铁磁材料受到磁场激励时，因其导磁率高，磁阻小，磁力线都集中在材料内部。若材料均匀，磁力线分布也均匀。如果材料中有缺陷，如小孔、裂纹等，在缺陷处，磁力线会发生弯曲，使局部磁场发生畸变。用霍尔探头检出这种畸变，经过数据处理，可辨别出缺陷的位置，性质（孔或裂纹）和大小（如深度、宽度等），图1示出两种用于无损探伤的探头结构。 * * 第二篇 常用传感器的原理及应用 1.掌握传感器工作原理及特性　　　 2.掌握测量误差及补偿（霍尔元件） 3.了解传感器的应用 第9章 磁敏式传感器 半导体磁敏式传感器 霍尔元件 磁敏电阻 磁敏二极管 磁敏晶体管 9.1 霍尔传感器 1、霍尔效应与霍尔元件 霍尔效应：置于磁场中的通电半导体，在垂直于电场和磁场的方向产生电动势的现象称为霍尔效应。 霍尔效应的产生是运动电荷受磁场中洛仑磁力作用的结果——霍尔电场。 其中，kH：霍尔常数（灵敏度），取决于材质、温 度、元件尺寸（厚度） ?：磁场与元件法线方向的夹角。 霍尔电势（UH）为： 显然，改变I或B，即可改变UH。 UH = kHIBcos? 霍尔元件越薄(d越小)，kH就越大，薄膜霍尔元件厚度只有1μm左右。 霍尔元件由霍尔片、四根引线和壳体组成。 4×2×0.1mm3 激励电极 霍尔电极 霍尔元件在测量电路中一般有两种表示方法。 霍尔元件的基本电路 霍尔元件的转换效率较低，实际应用中，可将几个霍尔元件的输出串联或采用运算放大器放大，以获得较大的UH。 霍尔元件的连接电路 2、霍尔元件的材料及主要特性参数 霍尔元件多采用N型半导体材料（高的电阻率和载流子的迁移率）。目前最常用的霍尔元件材料有锗(Ge)、硅(Si)、锑化铟(InSb)、砷化铟(InAs)等半导体材料。 主要特性参数： 额定激励电流IH 灵敏度KH 输入电阻Ri与输出电阻R0 不等位电势U0和不等位电阻r0 当磁感应强度B为零、激励电流为额定值IH时，霍尔电极间的空载电势称为不等位电势（或零位电势）U0。不等位电势U0与额定激励电流IH之比称为不等位电阻（零位电阻）r0 . 产生不等位电势的原因主要有：霍尔电极安装位置不正确（不对称或不在同一等电位面上）；半导体材料的不均匀造成了电阻率不均匀或是几何尺寸不均匀；激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布等。 霍尔电势温度系数、内阻温度系数等 3、测量误差及其补偿 不等位电势误差及其补偿 霍尔元件有两对电极，各相邻电极之间的电阻若为r1、r2、r3、r4，霍尔元件可等效为一个四臂电阻电桥。 （a）不等位电势 （b）霍尔元件等效电路 能够使电桥达到平衡的措施均可以用于补偿不等位电势。由于霍尔元件的不等位电势同时也是温度的函数，所以同时要考虑温度补偿问题 。 温度误差及其补偿 常用的补偿电路包括：恒流源激励并联分流电阻补偿电路；恒压源激励输入回路串联电阻补偿电路；电桥补偿电路；以及采用正、负不同温度系数的电阻或合理选取负载电阻的阻值补偿电路等等。 假设初始温度为T0时有如下参数：霍尔元件的输入电阻为Ri0，选用的补偿电阻RP0，被分流掉的电流为Ip0，激励电流Ic0，霍尔元件的灵敏度KH0。 当温度升为T时，上述各参数相应为：R