晶体三极管,输出特性曲线..ppt

三极管 输出特性 三极管 输出特性 三极管 输出特性 电子线路 晶体三极管的输出特性曲线 江苏省金湖中等专业学校 沈 萍 教学设计 2.新知引入 1.复习回顾 3.讲授新知 4.拓展新知 复习回顾 当VBE大于三极管门坎电压时（硅管约0.5V,锗管约0.2V），三极管开始导通。随后IB在较大的范围内变动时，VBE变化很小，近似一个常数，此时VBE值称为发射结正向压降或导通电压值，硅管为0.7 V，锗管约为0.3 V。 P N N N P P VBE与IB成非线性关系 A 输 入 特 性 曲 线 新知引入 在电路维修和故障分析中，常常要根据测量的电压，判定三极管是否正常工作，判定是三极管坏了还是电路其他元件坏了。就很有必要掌握三极管的三种工作状态及特点。 B 讲授新知 三极管的输出特性：IB为一定值，VCE和IC之间的相应数量关系，可用三极管的输出特性曲线表示。 GC GB RP R VCE RC IC IB V V uA mA 以共射电路为例： C vCE/v 0 0.3 0.5 1 3 5 10 IB=0uA 0 0 0.1 0.1 0.15 0.2 0.3 IB=40 uA 0 0.43 0.52 0.53 0.53 0.53 0.53 IB=80 uA 0 2.1 2.3 2.4 2.4 2.4 2.4 IB=120 uA 0 4.1 4.3 4.4 4.4 4.4 4.4 IC/mA 输出特性曲线族图 IB一定，VCE和IC对应的数据： 1．截止区 IB=0，三极管处于截止状态。 电流特点：IB=0，IC=ICEO≠0，ICEO为穿透电流。 偏置条件：发射结反偏或零偏，集电结反偏。 截止状态 以NPN管为例： P N N VBE≤0,VBC ＜0,VCE＞VBE ICEO VBE VBC VCE 2．饱和区 VCE=VCES ，VCES称为饱和压降，硅管约0.3V，锗管约为0.1V ，三极管处于饱和状态。 电流特点： IC不随IB的增大而线性增大 。 偏置条件：发射结正偏，集电结正偏。 饱和状态 VBE ＞ 0,VBC ＞ 0,VCE ＜ VBE 以NPN管为例： P N N VBE VBC VCE 3．放大区 放大状态 电流特点：IC受IB控制而变化，ΔIC=βΔIB，具有电流放大作用。 恒流特性：IB一定，IC不随VCE而变化，即IC恒定。 偏置条件：发射结正偏，集电结反偏。 以NPN管为例： VBE ＞ 0,VBC ＜0,VCE ＞ VBE P N N VBE VBC VCE  总结：三极管工作状态由偏置情况决定 截止状态 放大状态 饱和状态 偏置 条件 发射结反偏或零偏 集电结反偏 发射结正偏 集电结反偏 发射结正偏 集电结正偏 电位 电压 （NPN） VB≤VE 即：VBE≤0 VBC＜0，VBE＜VCE VC＞VB＞VE 即：VBE＞0， VBC＜0，VBE＜VCE VB＞VE，VB＞Vc 即：VBE＞0， VBC＞0，VBE＞VCE 电位 电压 （PNP） VB≥VE 即：VBE≥0 VBC＞0,VBE＞VCE VC＜VB＜VE 即：VBE＜0， VBC＞0，VBE＞VCE VB＜VE，VB＜VC 即：VBE＜0， VBC＜0, VBE＜VCE P N N VB VE VC VBE VCE ﹢ ﹢ ﹣ ﹣ VB VE VC VBE VCE ﹢ ﹢ ﹣ ﹣ N P P C拓展新知： 1．判别三极管的工作状态 ，NPN为硅管，PNP为锗管。 N P P -0.3V -0.1V 0V P P 0.3V N -12V 0V N P P -2V -7V -1.6V 6V 2V 1.3V P N N 4.5V 4V 4.8V P N N 5V 0V 0.7V N N P 截止 放大 饱和 截止 放大 饱和 2. 工作人员在检修某放大电路时，在无图纸又无管子型号标志的情况下，他利用测电位的办法，在图中测出“1”端对地为-6.2V，“2”端对地为-6V，“3”端对地为-9V,从而定出了管脚所属的电极和管子的类型（PNP或NPN）,你能说出其中的道理吗？ PNP锗管，“1”为B，“2”为E，“3”为C 想一想： 1.在截止状态下，IB能控制IC吗？三极管CE间等效电阻是大还是小？相当于C、E断开吗? 2.在饱和状态下，IB能控制IC吗？三极管的CE间等效电阻是大还是小？相当于C、E怎么样? 3.在放大状态下，IB能控制IC吗？三极管的CE间等效电阻有什么特点？ 说在