微电子工艺原理-第与5讲清洗工艺2.pptVIP

1、清洗的概念及超净室环境介绍 2、污染的类别及清除过程;三道防线: 净化环境（clean room） 硅片清洗（wafer cleaning） 吸杂（gettering）;芯片代加工工厂的环境通过以下措施进行: HEPA(high-efficiency particulate arresting ) filters and recirculation for the air.(高效过滤器和空气再循环) “Bunny suits” for workers.(工作人员的超净工作服) Filtration of chemicals and gases.(高纯化学药品和气体) Manufacturing protocols.(严格的制造规程);From Intel Museum;净化级别：每立方英尺空气中含有尺度大于0.5mm的粒子总数少于X个。（1立方英尺=0.283立方米）;引言;高效过滤;由于集成电路內各元件及连线相当微细，因此制造过程中，如果遭到灰尘、金属的污染，很容易造成芯片内电路功能的损坏，形成短路或断路，导致集成电路的失效！在现代的VLSI工厂中，75%的产品率下降都来源于硅芯片上的颗粒污染。;污染物可能包括：微尘，有机物残余，重金属，碱离子;颗粒：所有可以落在硅片表面的都称作颗粒。;各种可能落在芯片表面的颗粒;粒子附着的机理：静电力，范德华力，化学键等 去除的机理有四种： 1 溶解 2 氧化分解 3 对硅片表面轻微的腐蚀去除 4 粒子和硅片表面的电排斥 去除方法：湿法刻蚀, megasonic（超声清洗）;;2、金属的玷污;不同工艺过程引入的金属污染;金属杂质沉淀到硅表面的机理 通过金属离子和硅表面终端的氢原子之间的电荷交换，和硅结合。（难以去除） 氧化时发生：硅在氧化时，杂质会进入 去除方法：使金属原子氧化变成可溶性离子 M Mz+ + z e- 去除溶液：H2O2：强氧化剂;电负性;反应优先向左;3、有机物的玷污;4、自然氧化层;典型的湿法化学清洗药品;有机物/光刻胶的两种清除方法：;标准清洗液-SC1（APM，Ammonia Peroxide Mixture）： NH4OH(28%):H2O2(30%):DIH2O=1:1:5～1:2:7 70～80?C, 10min 碱性（pH值7） 可以氧化有机膜 和金属形成络合物 缓慢溶解原始氧化层，并再氧化——可以去除颗粒 NH4OH对硅有腐蚀作用;标准清洗液-SC2: HCl(73%):H2O2(30%):DIH2O=1:1:6~1:2:8 70～80?C, 10min 酸性（pH值7） 可以将碱金属离子及Al3＋、Fe3＋和Mg2＋在SC-1溶液中形成的不溶的氢氧化物反应成溶于水的络合物 可以进一步去除残留的重金属污染（如Au）;现代CMOS的硅片清洗工艺;其它先进湿法清洗工艺;机器人自动清洗机;清洗容器和载体 SC1/SPM/SC2 – 石英（ Quartz ）或 氟聚合物容器 HF – 优先使用氟聚合物，其他无色塑料容器也行。 硅片的载体 – 只能用氟聚合物或石英片架;清洗设备;洗刷器;湿法清洗的问题（1）;Wu et al., EDL 25, 289 (2004).;Surface roughness (nm);Surface roughness (nm);颗粒的产生 较难干燥 价格 化学废物的处理 和先进集成工艺的不相容;干法清洗工艺;其它方法举例;其他去除污染物的方法之吸杂;硅中深能级杂质（SRH中心）;吸杂三步骤：;高扩散系数＋间隙扩散方式＋聚集并占据非理想缺陷（陷阱）位置;Aus＋I ? AuI 踢出机制 Aus ? AuI＋ V 分离机制; PSG——可以束缚碱金属离子成为稳定的化合物 超过室温的条件下，碱金属离子即可扩散进入PSG 超净工艺＋Si3N4钝化保护——抵挡碱金属离子的进入;本征吸杂工艺更易控制 造成的损伤范围大 距有源区更近 缺陷热稳定性好;bipolar;净化的三个层次：环境、硅片清洗、吸杂;硅片清洗 湿法清洗：Piranha，RCA（SC－1，SC－2），HF:H2O 干法清洗：气相化学;作业