GaAs课件.pptVIP

GaAs砷化镓 化学式 GaAs。黑灰色固体，熔点 1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性的酸侵蚀。化学键角为109’28’，主要为共价成分。由于镓、砷原子不同，吸引电子的能力不同，共价键倾向砷原子，具有负电性，导致Ga-As键具有一定的离子特性，使得砷化镓材料具有独特的性质。砷化镓是一种典型的半导体材料，性能比硅更优良。它的禁带宽度大，电子迁移率高，介电常数小，能引入深能级杂质，电子有效质量小，能带结构特殊，具有双能谷导带，可以制备发光器件、半导体激光器、微波体效应器件、太阳能电池和高速集成电路等，广泛用于雷达、电子计算机、人造卫星、宇宙飞船等尖端技术中。 砷化镓晶格是由两个面心立方(fcc)的子晶格(格点上分别是砷和镓的两个子晶格)沿空间体对角线位移1/4套构而成。这种晶体结构在物理学上称之为闪锌矿结构。图1给出了砷化镓晶胞结构的示意图,表1给出了在室温下目前已知砷化镓半导体材料的物理、电学参数。关于砷化镓的化学组成形式,III-V族化合物共价键模型认为[2]:这类化合物形成四面体共价结合,成键时III族原子提供3个s2p1组态的价电子,而V族原子提供5个s2p3组态的价电子，它们之间平均每个原子有四个价电子，正好可用作形成四面体共价结合之用。这类化合物以共价结合为主,但却混杂有部分离子结合性质。这是由于V族元素的电负性比III族元素大,组成晶体时,部分电子将从电负性低的原子(III族元素)转移到电负性较高的原子(V族元素)中去,电荷的这种转移(极化)使III族元素带正电,V族元素带负电。如果引用有效电荷Z*e这个概念来描述这种电荷转移的程度,则“共价键”模型可认为砷化镓晶体以共价结合为主,但混杂有部分离子结合性质,每个离子带有效电荷Z*e。 砷化镓晶胞示意图（闪锌矿结构） 砷原子 镓原子 当在绝对零度以上温度时,一些电子因热能量而振动幅度加剧,如果其处于价带顶,所受的热能量Q=Ef时,就有可能脱离价带,跃迁进入导带,从而能在晶体中移动导电。在一块纯净的半导体中,电子数目与空穴数目相等,所以费米能级处于禁带中央。图3给出了硅和砷化镓在k空间的能带结构示意图,由图可看出,硅的导带最小值与价带最大值位于不同k空间,而砷化镓的导带最小值与价带最大值则位于k=0处,这意味着在砷化镓中,电子发生跃迁时可直接从导带底到达价带顶。与硅相比,电子在从导带跃迁到价带过程中只需要能量的改变,而动量则不发生改变。这一性质使砷化镓在制造半导体激光器(LD)和发光二极管(LED)方面具有得天独厚的优势,当一个电子从高能量导带进入低能量价带时,多余能量便以光子的形式释放。另一方面,当砷化镓受到光照射时,价带中的电子便可从外界得到能量而振动加剧,当此能量足够大时,便可使电子跃迁到导带,这一性质可使砷化镓应用于光电探测领域。 砷化镓的能带结构图 ， 在微波应用领域,砷化镓与硅相比有几个明显的优点:高迁移率,高饱合漂移速度和较强的半绝缘能力。当半导体处于外场中时,在相继两次散射之间的自由时间内,载流子(比如电子)将被外场加速,从而获得沿一定方向的加速度。因此,在有外场存在时,载流子除了做无规则的热运动外,还存在着沿一定方向的有规则的漂移运动,漂移运动的速度称为漂移速度( v ),最大漂移速度称为饱合漂移速度。漂移速度与电场的关系如图4所示。砷化镓在弱电场状态(图4中虚线左边区域)下,电子迁移率约为8500cm2/(V·s),比Si要大得多。随着电场强度的增加,砷化镓的电子漂移速度达到一个峰值然后开始下降(图4中虚线右边区域)。在漂移速度——电场强度特性曲线上某个特定点处的斜率即为该点的微分迁移率。当曲线斜率为负时微分迁移率也为负,负微分迁移率产生负微分电阻,振荡器的设计就利用了这一特性。 砷化镓和硅的漂移速度与电场强度关系 在晶体生长过程中,会有意或无意地引入杂质。一般情况下,引入的杂质都是具有电活性的,但是有一些引进的污染会在晶体中形成空位,从而不具有电活性。规定掺入的杂质在半导体中要么是施主原子,要么是受主原子。施主原子是比其替代的原子多一个或一个以上的电子,这些多出的电子在晶体中可以自由移动从而形成电流;相反,受主原子是比其替代的原子少一个或一个以上的电子,因此,受主原子可以捕获晶体中的自由移动的电子