低维ZnO杂质缺陷行为及p型掺杂研究-材料物理与化学专业论文.pdf.docxVIP

浙江大学研究生学位论文独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。 浙江大学研究生学位论文独创性声明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。 除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成 果，也不包含为获得逝婆盘堂或其他教育机构的学位或证书面使用过的材料。与我一同 工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。 学位论文作者鲐 际勾 签字日期．矽疗年厶月肌 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解逝婆盘堂有权保留并向国家有关部门或机构送交本论文 的复印件和磁盘，允许论文被查阅和借阅。本人授权逝婆盘堂可以将学位论文的全部或部 分内容编入有关数据库进行检索和传播，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇 编学位论文。 (保密的学位论文在解密后适用 学位论文作者签名：导师签名： 傣匆 签字日期：弘扩年6月?，日 签字日期勿妒厶 万方数据 摘要摘要 摘要 摘要 作为一种新型II-VI族直接带隙化合物半导体材料，ZnO具有禁带宽度大 (3．37 eV)、激子束缚能高(60 meV)等优点，非常适用于制备短波长光电器件。 近年来研究者们对ZnO在P型掺杂和光电领域做了大量研究，目前已成功制备 出P型ZnO薄膜并实现电致发光。但要实现ZnO光电应用，仍需解决P型稳定 性和提高发光效率等问题。ZnO缺陷工程，即ZnO中杂质缺陷调控和机理研究， 有助于解决P型掺杂等科学问题，对器件物理研究和ZnO在各个领域的应用都 有一定的物理指导意义和推进作用。 在本文中，我们将以缺陷工程为背景，对ZnO中常见缺陷态如表面态、H、 Cu、Na杂质缺陷进行研究，最后采用激光脉冲沉积(PLD)技术制备出P型ZnMgO 掺Na薄膜并获得Na受主能级。本论文主要研究内容包括： 1．采用A1203包覆和H等离子体处理两种方式对ZnO纳米棒进行改性，发 现A1203包覆仅仅抑制了缺陷峰强度，而H等离子体处理使带边发光峰增强了 200倍以上。结果证明缺陷峰和表面态相关，而鲇203包覆钝化了表面态，从而 抑制了缺陷峰发光；H等离子体处理不仅钝化表面态，还钝化了非辐射复合中心， 减少了非辐射复合的竞争机制，导致了带边发光效率大大提升。该结果对提高 ZnO发光效率和理解表面态行为有指导作用。 2．采用高能H等离子体处理对ZnO纳米棒进行H掺杂，发现超强紫光峰主 导的低温光致发光(PL)谱。结合时间分辨PL和变激发测试，发现这个紫光峰至 少存在两种发射机制。退火实验验证上述观点，同时证实紫光峰和H相关。研 究了不同H处理功率对紫光峰的影响，发现当功率低于30w，紫光峰并不会出 现。我们认为，H等离子体达到一定能量后才会和ZnO中本征缺陷形成缺陷复 合体，导致紫光峰出现，而在400 oC退火后，由于H的逸出使得缺陷复合体分 解，最终使得紫光峰消失。该结果对理解ZnO中H缺陷态的行为有物理指导意 义。 3．参考选择性静电吸附模型，采用水热法结合后续热退火制备出P型ZnO 掺cu薄膜。霍尔测试和p-ZnO：Cu／n．ZnO同质pn结的I—V整流特性，均验证了 P型的可靠性。变温PL结果证实cu+的存在，并计算出Cu+Zn受主能级为326meV。 我们认为，326 meV的受主能级使得大部分空穴不能电离，造成样品的弱P型； 而Cu热扩散会诱生ZnO本征缺陷以及Cu复合体缺陷，会进一步影响样品电学 性能，使得P型调控的难度大大增加。 4．采用PLD法制备出P型ZnMgO：Na薄膜。通过Mg合金化缓解Na掺杂 万方数据 浙江大学博士学位论文引起的较大晶格失配，极大地改善样品表面形貌。结合交温Hall测试和变温PL 浙江大学博士学位论文 引起的较大晶格失配，极大地改善样品表面形貌。结合交温Hall测试和变温PL 测试，分析Na受主缺陷态行为，并得到Na受主在ZnMgO：Na中的能级深度 约为460 meV，这也是ZnMgO：Na薄膜中受主能级的首次报道。 关键词：光致发光，H等离子体处理，表面态，紫光峰，cu缺陷态，Na掺杂， P型导电 Il 万方数据 AbstractAbstract Abstract Abstract As a novel II．VI direct band gap compound semiconductor with many advantages such as large exciton binding energy(60 meV)and wide band gap(3．37 eV)．ZnO has been considered one of the most promising materials for short