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镍掺杂四氧化三钴纳米线阵列的制备及其超级电容特性
第33 卷 第5 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 33 No. 5
2018 年5 月 Journal of Inorganic Materials May, 2018
文章编号: 1000-324X(2018)05-0501-06 DOI: 10.15541/ji
镍掺杂四氧化三钴纳米线阵列的制备及其超级电容特性
王军霞, 赵建伟, 秦丽溶, 赵秉林, 蒋正艳
(西南大学 物理科学与技术学院, 重庆 400715)
摘 要: 采用直流电化学沉积与高温氧化相结合的合成方法, 在氧化铝模板的辅助下, 成功制备了一种新颖的 Ni
掺杂的Co3O4 纳米线阵列, 利用X 射线衍射仪、扫描电镜和高分辨透射电镜等对所制备的纳米线阵列的物相和形
貌进行了表征, 结果表明：所制备的Ni 掺杂Co3O4 纳米线形貌和尺寸均匀、垂直于基底排列, 纳米线的平均直径
约为80 nm, 长度约为 1.4 μm, 整个纳米线由纳米颗粒堆积而成, 其中Co : Ni 的比例约为20 : 1 。利用循环伏安和
恒流充放电技术在2 mol/L 的KOH 电解液中对材料的电化学性能进行了测试, 结果显示所制备的纳米线阵列具有
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优异的电化学电容特性, 当电流密度为10 mA/cm 时, 纳米线阵列的面积比电容为173 mF/cm , 经过1000 次充放
电后, 比电容值仍能保持最初值的 98%, 表现出良好的循环稳定性。优异的性能可归因于材料的比表面积较大以
及镍掺杂后材料导电特性的提高。
关 键 词: 纳米线; 四氧化三钴; 掺杂; 模板法; 超级电容
中图分类号: O646 文献标识码: A
Synthesis and Supercapacitor Property of Ni-doped Co O Nanowire Array
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WANG Jun-Xia, ZHAO Jian-Wei, QIN Li-Rong, ZHAO Bing-Ling, JIANG Zheng-Yan
(School of Physical Science and Technology, Southwest University, Chongqing 400715, China)
Abstract: The novel Ni-doped Co O nanowire array was synthesized successfully by electrochemical deposition
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