劳动第三版电子电路基础---第一章 常用半导体器件1.2..pptVIP

§1-2 晶体三极管 一、晶体三极管的结构与分类 二、三极管的电流放大作用 三、三极管的共射特性曲线 四、三极管的主要参数 五、三极管的简易测试 2、分 类 3.外形 4.复合三极管（达林顿管） 二、三极管的电流放大作用 1.三极管的工作电压 （1）三极管的工作电压 三极管具有电流放大作用的条件：发射结加正向电压，集电结加反向电压。 （2）三极管电路的三种基本连接方式 补充内容：三种组态电路的应用 共发射极：既有电压放大也有电流放大，多数用在低频放大电路。 共基极：只有电压放大，没有电流放大，但电路通频带很宽，多数用在高频放大电路。 共集电极：只有电流放大，没有电压放大，电路输入电阻很大，输出电阻很小，用作阻抗匹配。 2.三极管的电流放大作用 分析以上电路 调节电位器RP可改变基极电流IB，用电流表可测得相应的IC和IE。 （1）发射极电流等于集电极与基极电流之和IE=IC+IB。由于基极电流很小，所以集电极电流与发射极电流近似相等，即IC≈IE （2）三极管集电极直流电流IC与相应的基极直流电流IB之比，称为共发射极直流放大系数，用β表示。 β=IC/IB 三极管集电极电流变化量ΔIC相应基极电流变化量ΔIB的比值，称为共发射极交流电流放大倍数β=ΔIC/ΔIB 三、三极管的共射特性曲线 三极管的特性曲线：描述三极管各极电流和极间电压关系的曲线，主要有输入特性曲线和输出特性曲线。 1、输入特性曲线 （Uce一定，ube与ib关系曲线） 硅管的发射结开启电压为0.5V，锗管为0.1V。 三极管正常放大时，硅管的UBE为0.7V,锗管的UBE为0.3V。 2、输出特性曲线 （Ib一定，ic与uce关系曲线） （1）截止区特点：发射结处于零偏或反偏，IB=0，相当于开关断开。 （2）放大区特点：发射结正偏，集电结反偏，ic受iB控制，具有电流放大作用。 （3）饱和区：发射结和集电结都处于正偏，uCE很小，相当于开关闭合。 输出特性曲线的三个区域 【例1】已知三极管接在相应的电路中，测得三极管各电极的电位，如下图所示，试判断这些三极管的工作状态？ 基极开路时（IB=0），C-E极间的反向电流。好象是从集电极直接穿透三极管到达发射极的电流，故又叫“穿透电流”。ICEO＝（1＋β）ICBO，反映了三极管的稳定性。选管子时，ICEO越小，管子受温度影响越小，工作越稳定。 3、共射特征频率fT: 是指三极管的 值下降到1时所对应的信号频率。 * * NPN型三极管 PNP型三极管 b 基极 e 发射极 c 集电极 集电结 发射结 N 集电区 N 发射区 P 基区 b c e V b 基极 e 发射极 c 集电极 集电结 发射结 P 集电区 P 发射区 N 基区 V b c e NPN型三极管 PNP型三极管 b 基极 e 发射极 c 集电极 集电结 发射结 N 集电区 N 发射区 P 基区 b c e V b 基极 e 发射极 c 集电极 集电结 发射结 P 集电区 P 发射区 N 基区 V b c e 1、结构 NPN型三极管 PNP型三极管 b 基极 e 发射极 c 集电极 集电结 发射结 N 集电区 N 发射区 P 基区 b c e V b 基极 e 发射极 c 集电极 集电结 发射结 P 集电区 P 发射区 N 基区 V b c e 　 工艺要求：发射区掺杂浓度较大；基区很薄且掺杂最少；集电区比发射区体积大且掺杂少。 特点： 有三个区——发射区、基区、集电区； 两个PN结——发射结（BE结）、集电结（BC结）； 三个电极——发射极e(E)、基极b(B)和集电极c?； 两种类型—— P N P型管和NPN型管。 　　　　　　　　　 以 NPN 型三极管为例讨论 三极管中的两个 PN 结 c N N P e b b e c 表面看 　　三极管若实现放大，必须从三极管内部结构和外部所加电源的极性来保证。 　不具备放大作用 分类方法 种 类 应 用 按极性分 NPN型三极管 目前常用的三极管，电流从集电极流向发射极 PNP型三极管 电流从发射极流向集电极 按材料分 硅三极管 热稳定性好，是常用的三极管 锗三极管 反向电流大，受温度影响较大，热稳定性差 按工作频率分 低频三极管 工作频率比较低，用于直流放大、音频放大电路 高频三极管 工作频率比较高，用于高频放大电路 按功率分 小功率三极管 输出功率小，用于功率放大器末前级 大功率三极管 输出功率较大，用于功率放大器末级（输出级） 按用途分 放大管 应用在模拟电子电路中 开关管 应用在数字电子电路中 几种典型复合管形式 几种典型复合管形式 复合管的导电类型由V1管决定。 复合管的