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1.3 二极管电路的分析方法 EXIT EXIT 模拟电子技术 A n a l o g C i r c u i t s * 耿苏燕主编 参考教材：胡宴如主编.模拟电子技术基础.高教出版社 模拟电子技术 第1章 半导体二极管 第2章 半导体三极管 第3章 放大电路基础 第4章 负反馈放大电路与基本运算电路 第5章 线性集成电路的应用 第6章 集成模拟乘法器及其应用 第7章 信号产生电路 第8章 直流稳压电源 第 1 章　半导体二极管 1.1 半导体的基础知识 1.2 半导体二极管的特性及主要参数 1.3 二极管电路的分析方法 1.4 特殊二极管 1.5 半导体二极管特性的测试与应用 本章小结 主要要求： 掌握二极管电路的理想模型分析法和恒压降模型分析法。 了解图解分析法和微变等效电路分析法。 了解二极管的一般应用。 二极管理想模型和恒压降模型的含义及其应用 重点： 一、二极管的理想模型分析法和恒压降 模型分析法 iD uD O 一、二极管的理想模型分析法和恒压降 模型分析法 （一）理想模型和恒压降模型的建立 UD(on) 等效电路模型 符 号 S S 正偏导通，uD = 0 iD uD 理想模型 反偏截止， iD = 0 ， U(BR)= ? 含义： O UD(on)= 0.7 V (Si) 0.2 V (Ge) iD uD 恒压降模型 O iD uD 恒压降模型 UD(on)= 0.7 V (Si) 0.2 V (Ge) O 含义： u D ＞U D(on) 时导通， 二极管等效为恒压源， 其值为U D(on) UD(on) u D ＞U D(on) UD(on) u D U D(on) u D U D(on) 时截止， 二极管等效为开路， iD = 0 U D(on) 例 1 硅二极管电路如下图（a）所示，R = 2 k?， 试用二极管理想模型和恒压降模型求出 VDD = 2 V 和 VDD = 10 V 时 IO 和 UO 值。 UO VDD IO R （a）电路图 UD(on) UO VDD IO R UO VDD IO R （b）理想模型等效电路 （c）恒压降模型等效电路 [解] UO VDD IO R （d）采用理想模型后的简化电路 UD(on) UO VDD IO R （e）采用恒压降模型后的简化电路 UD(on) UO VDD IO R UO VDD IO R （b）理想模型等效电路 （c）恒压降模型等效电路 采用恒压降模型分析法可得 UO = VDD – UD(on) =（ 2 ? 0.7 ）V= 1.3 V IO = UO / R = 1.3 V/ 2 k? = 0.65 mA 当VDD = 2 V 时 IO = VDD / R = 2 V/ 2 k? = 1 mA UO = VDD = 2 V 采用理想模型分析法可得 当VDD =10 V 时，同理可得 采用理想模型分析法时 UO = 10V， IO =5 mA 采用恒压降模型分析法时UO = 9.3V， IO =4.65 mA [解] UO VDD IO R （d）采用理想模型后的简化电路 UD(on) UO VDD IO R （e）采用恒压降模型后的简化电路 利用Electronics Workbench（电子工作台， 简称EWB） 软件进行仿真实验（演示1） [解] UO VDD IO R （d）采用理想模型后的简化电路 UD(on) UO VDD IO R （e）采用恒压降模型后的简化电路 采用恒压降模型分析法可得 UO = VDD – UD(on) =（ 2 ? 0.7 ）V= 1.3 V IO = UO / R = 1.3 V/ 2 k? = 0.65 mA 当VDD = 2 V 时 IO = VDD / R = 2 V/ 2 k? = 1 mA UO = VDD = 2 V 采用理想模型分析法可得 当VDD =10 V 时，同理可得 采用理想模型分析法时 UO = 10V， IO =5 mA 采用恒压降模型分析法时UO = 9.3V， IO =4.65 mA EWB仿真实验结果： VDD =10 V 时， UO = 9.31V， IO =4.65 mA VDD = 2 V 时， UO = 1.36V， IO =0.68 mA 结论： VDD 大宜采用理想模型 VDD 小宜采用用恒压降模型 二 极 管 的 折 线 模 型 思考题