基于非对称基区晶体管压力传感器温度补偿集成化研究-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

优秀毕业论文 精品参考文献资料 Abstractbase Abstract base asymmetric transistor,the sensitivity temperature drift of the temperature compensating pressure sensor is-1 27 ppm／℃．The results demonstrate that．the temperature compensating pressure sensor which designed and fabricated in this paper has good pressure sensitivity and temperature characteristics． Key words：base asymmetric transistor；pressure sensor；temperature compensation； MEMS technology；SOl 万方数据 黑龙江大学硕士学位论文目 黑龙江大学硕士学位论文 目 录 中文摘要 I Abstract ．．．． ． ．．．． ． ． ．II 第1章绪论 1 1．1论文研究目的和意义 1 1．1．1研究目的 1 1．1．2研究意义 1 1．2压力传感器研究现状 2 1．2．1纳米多晶硅压力传感器研究现状 ．2 1．2．2 SOl压力传感器研究现状 一6 1．3传感器温度补偿研究现状 ．12 1．4论文主要研究内容 ．17 第2章非对称基区晶体管温度补偿压力传感器基本结构与工作原理 一1 9 2．1非对称基区晶体管温度补偿压力传感器基本结构 ．19 2．2非对称基区晶体管温度补偿压力传感器工作原理 ．20 2．2．1压力传感器工作原理 一20 2．2．2非对称基区晶体管温度补偿工作原理 一24 2．3本章小结 ．26 第3章非对称基区晶体管温度补偿压力传感器芯片结构设计 一27 3．1压力传感器硅膜形状仿真设计 ．27 3．1．1 ANSYS静态力学分析简介 ．28 3．1．2压力传感器硅膜形状的选择 一30 3．1．3压力传感器硅膜尺寸的优化设计 一35 3．2压力传感器扩散电阻位置设计 ．37 3．2．1硅膜应力分布计算 一37 3．2．2硅膜电阻位置计算 一40 万方数据 目 目 录 3．3压力传感器理论灵敏度计算 ．43 3．4非对称基区晶体管基区电阻比设计 ．45 3．5本章小结 ．46 第4章非对称基区晶体管温度补偿压力传感器芯片制作与封装 ．．47 4．1非对称基区晶体管温度补偿压力传感器芯片版图 ．47 4．2非对称基区晶体管温度补偿压力传感器制作工艺 ．47 4．3非对称基区晶体管温度补偿压力传感器芯片封装 ．49 4．3．1封装管座设计 一49 4．3．2静电键合 ．．5 1 4．4本章小结 ．52 第5章实验结果与分析 ．．53 5．1压力传感器静态特性 ．53 5．1．1压力传感器静态特性主要指标 一53 5．1．2压力传感器静态特性计算程序 一55 5．1．3压力传感器静态特性实验测试 一56 5．1．4压力传感器静态特性曲线绘制 一59 5．2非对称基区晶体管特性 ．62 5．2．1非对称基区晶体管卜矿特性 一62 5．2．2非对称基区晶体管温度特性 一64 5．3非对称基区晶体管温度补偿压力传感器温度特性 ．66 5．3．1补偿前压力传感器温度特性 一66 5．3．2补偿后压力传感器温度特性 一66 5．4非对称基区晶体管优化设计 ．68 5．5本章小结 ．7l 结 论 72 参考文献 73 致 谢 81 万方数据 黑龙江大学硕士学位论文攻读学位期间发表论文 黑龙江大学硕士学位论文 攻读学位期间发表论文 82 攻读学位期间科研项目 83 附 录 84 独创性声明 88 万方数据 第1 第1章绪论 第1章绪论 自从1945年史密斯(C．S．Smith)发现了硅与锗的压阻效应，制作出了压力 传感器开始，压力传感器逐渐成为了人们在生活、军事、科研等领域不可或缺的 一部分。1960年以后，由于硅扩散技术的发展，可以制作出体积小、重量轻、灵 敏度高的传感器。1970年以后，硅各向异性腐蚀技术的出现，进一步优化了传感 器的性能。如今，随着MEMS技术的成熟，压力传感器进入了微米／纳米级别，各 方面的性能得到广泛的提升[1，21。近些年来，压力传感器在科技领域中的地位越来 越重要，压力传感器被广泛应用在各个领域。小型化、集成化与智能化正是压力 传感器的方向发展，而压力传感器亟待解决的问题是存在温度漂移，为了解决这 一问题，使压力传感器可应用在更广阔的条件下，压力传感器的温度补偿已经成 为设计压力传感器时必须要考虑的一个问题。 1．1论文研究目的和