一维纳米线阵列的电化学是组装 表征及其性能研究.docx

中文摘要本论文以一维纳米线、纳米管、纳米孔阵列的电化学制备、表征及其性能 中文摘要 本论文以一维纳米线、纳米管、纳米孔阵列的电化学制备、表征及其性能 为研究目的，通过电化学研究手段和现代物理测试技术对电化学法组装纳米孔阵 列、导电聚合物纳米线(管)、磁性金属纳米线的影响因素、沉积机理及有关性能 进行了研究，并尝试了以铝阳极氧化膜(AAO)为模板，在纳米孔内利用双槽 直流电沉积法组装了不同子层厚度的Cu／Ni多层纳米线及聚苯胺／Ni多层纳米线。 采用原予力显微镜(AFM)详细研究了AAO膜的微细结构，发现在AAO 膜的表面除存在六方形的纳米孔阵列外，孔端还存在梅花状微细结构。以往用扫 描电镜表征的纳米孔阵列，实际上是一幅排列得非常整齐、并呈周期性排布的梅 花阵列图案。从电场角度分析了这种梅花状微结构的形成原因。对AAO模板进 行后续腐蚀等在加工，能够制备出宏量无定形结构的氧化铝纳米线和Y-A1203 纳米线。并研究了孔径、阻挡层、载荷、压缩位移等因素对AAO膜纳米力学性 能的影响。该研究工作未见同类报道。 采用扩散聚合法和恒电位聚合法分别在AAO膜内制备了聚苯胺纳米管(线) 阵列。利用多种物理测试技术对阵列的形貌，结构及其性能进行了表征。结果表 明，扩散聚合反应优先发生在孔壁上，并沿孔壁逐层生长，时间较短时形成纳米 管阵列，较长形成纳米线阵列；纳米管(线)中同时包含结晶相和无定型相；直 径为70 nm的单根聚苯胺纳米线的电导率为22．1 S·锄～；恒电位聚合时模板孔 内纳米线的生长速度几乎一致，填孔率接近95％；聚苯胺纳米线阵列在．0．1～O．85 V电位范围内具有一定的电化学活性。 采用直流电沉积法在AAO膜内组装了Ni纳米线阵列。通过SEM、SAED、 VSM等技术对阵列的形貌、结构及性能进行了表征，结果表明，纳米线具有单 晶结构，并沿(111)晶向生长，模板的填孔率可达80％；阵列的易磁化轴垂直于 AAO表面，具有明显的垂直磁各向异性，矫顽力远大于块体Ni的矫顽力。 以AAO为模板，采用双槽直流电沉积法成功组装了不同子层厚度的Cllnm 多层纳米线阵列。研究表明，纳米线的直径约为70rim,多层结构中各子层厚度 均匀，层间的界限分明，且子层厚度随子层沉积时间的增加而增大；Cu层和Ni 层均为单晶结构；Cu[20nm]Ni[90nm]多层纳米线阵列的易磁化轴垂直于AAO表 面，具有明显的垂直磁各向异性，矫顽力高于Ni纳米线阵列的矫顽力。 关键词： 铝阳极氧化膜电化学法纳米阵列多层纳米线 ABSTRACTThe ABSTRACT The purposes of this dissertation a∞to study the electrochemical preparation, characterization of nanowire arrays,nanotobe arrays,nanohole arrays and their properties．The influencing factors，electrodeposition mechanism and related properties of nanoarmys assembled by template-electrodeposition technique were investigated in this dissertation based on electrochemical techniques and modern physical methods．And the Cu／Ni multilayered nanowire arrays embedded in the nanochanneis of aluminum anodic oxide membrane(AAO)were successfully fabricated by direct ctmvnt∞．C．)dectrodeposition with double bath technology ∞．B．D．The research contents and the gained chiefachievements are as follows： First of all，the microstmcture of anodic aluminum oxide(AAO)film was particularly studied by AFM．It shows that except hexagonal pore arrays in AAO film there is a small microstmcture like plum blossom along the Sulface ofpore