纳米碳管阵列场增强因子的计算!.pdf

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ’’ # #%%) # ， ， ， K32 *’’ A3 *# @=LM0MN #%%) （ ） !%%%.$#,%C#%%)C’’ %# C%,.%) DEFD G+HIJED IJAJED !#%%) EO15 * GON9 * I38 * ############################################################### 纳米碳管阵列场增强因子的计算! ） ） ） ） ） ! ! # ! ! 王 淼 尚学府 李振华 王新庆 徐亚伯 !）（浙江大学物理系，杭州 $!%%# ） # ）（浙江大学力学系，杭州 $!%%# ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） #%%’ # ( #%%’ ) !% 采用悬浮球模型，结合对称的镜像电荷层方法，对静电场中纳米碳管阵列的场增强因子进行了计算，并在考虑 极板间距的情况下，对其计算结果做了修正* 结果表明：纳米碳管阵列的间距对纳米碳管阵列的场发射性能影响很 大 当纳米碳管阵列中碳管间距小于碳管高度时，场增强因子随间距的减小而急剧减小；而当碳管间距显著大于碳 * 管高度时，场增强因子几乎不变* 但当考虑阴阳极之间单位面积通过的场发射电流时，可论证当管间距与管高度相 若时，能使场发射电流密度最佳（最大）另外，极板间距对场增强因子的影响很小，但是可以通过减小极板间距，来 * 降低纳米碳管作为场发射体的场发射的开启电压，优化纳米碳管的场发射性能* 关键词：纳米碳管阵列，场增强因子，开启电压 ： ， ， !## #!% ##%+ $,% ［，］ ) 机制 ，人们建立了各种模型来阐述纳米碳管的场 发射机制 目前场发射理论方面的研究主要集中在 !? 引 言 * 利用计算机对纳米碳管的场发射进行模拟并求解拉 ［］ ! 普拉斯方程，根据计算结果讨论影响纳米碳管场发 自从!,,! 年被发现以来 ，纳米碳管就以其独 特的准一维结构、优异的物理化学特性以及超强的 射性能的影响因素，拟合出关于纳米碳管的场发射