半导体材料PN温度电阻特.DOC

半导体PN结正向压降温度特性的测量 【实验目的】 1．了解PN结正向压降随温度变化的基本关系式。 2．在恒流供电条件下，测绘PN结正向压降随温度变化曲线，并由此确定其灵敏度和被测PN结材料的禁带宽度。 3．学习用PN结测温的方法。 【实验原理】 1．基本原理 理想PN结的正向电流IF和压降VF存在如下近似关系式 (1) 其中q为电子电荷；k为玻尔兹曼常数；T为绝对温度；IS为反向饱和电流，它是一个和PN结材料的禁带宽度以及温度等有关的系数，可以证明 ＝V1+V n1 (2) 其中 这就是PN结正向压降作为电流和温度函数的表达式，它是PN结温度传感器的基本方程。令IF＝常数，则正向压降只随温度而变化，但是在方程（2）中，除线性项V1外还包含非线性项Vn1。为改善非线性，目前行之有效的方法大致有两种： （1）利用对管的两个be结（将三极管的基极与集电极短路后与发射极组成一个PN结），分别在不同电流IF1、IF2下工作，由此获得两者电压之差（VF1－VF2）与温度成线性函数关系，即 VF1－VF2＝ 与单个PN结相比，这种电路结构与恒流、放大等电路集成一体，便构成集成电路温度传感器其线性度与精度均有所提高。 （2）Okira Ohte等人提出的采用电流函数发生器来消除非线性误差。由（2）式可知，非线性误差来自项，利用函数发生器，使IF比例于绝对温度的r次方，则VF－T的线性理论误差为Δ＝0，实验结果与理论值颇为一致，其精度可达0.01℃。 综上所述，在恒流供电条件下，PN结的VF对T的依赖关系取决于线性项V1,即正向压降几乎随温度升高而线性下降，这就是PN结测温的依据。 【实验内容】 1．VF（0）或VF（TR）的测量和调零 2．测定ΔV－T曲线 3．求被测PN结正向压降随温度变化的灵敏度S（mV/℃） 4．估算被测PN结材料硅的禁带宽度Eg(0)=qVg(0)电子伏。 【讲述要点】 1．介绍PN结在温度传感器中的应用。 2．简单推导PN结正向电压与温度的函数关系。 3．简述如何利用对管和电流函数发生器消除PN结正向电压与温度的非线性误差。 4．介绍TH－J型PN结正向压降温度特性实验组合仪的使用方法。 【注意事项】 谨慎取下样品室的筒套（左手扶筒盖，右手扶筒套顺时针旋转）。 正确放置筒盖内的O型橡皮圈，以防止冰水渗入室内。 小心连接加热电源线和信号传输线，防止拉断。 控温电流按步长0.2缓慢增加。 【成绩评定】 1．据同学书写预习报告的完整性、完成实验的能力、数据记录规范程度、以及数据结果的准确性等评定操作成绩。 2．根据实验报告的规范性、完整性，数据处理和误差分析的正确性等总合评定本次实验成绩。 【数据与结果】 实验起始温度TS＝26。9℃ 工作电流 IF＝50　μA 起始温度为TS时的正向压降VF（TS）＝612　mv 控温电流 (A) (mv) T(℃) T=(273.2+T) ( K) 0.2 -10 31.4. 304.6 0.2 -20 36.1 309.3 0.2 -30 40.6 313.8 0.4 -40 45.2 318.4 0.4 -50 49.9 323.1 0.4 -60 54.4 327.6 0.4 -70 59.1 332.3 0.4 -80 63.6 336.8 0.4 -90 68.1 341.3 0.4 -100 72.7 345.9 0.4 -110 77.2 350.4 0.4 -120 81.7 354.9 0.6 -130 86.3 359.5 0.6 -140 90.9 364.1 0.6 -150 95.3 368.5 0.6 -160 99.9 373.1 0.6 -170 104.3 377.5 0.6 -180 108.7 381.9 ΔV—T曲线图 取A(50,50 ), B(100,160) Vg(0) =VF(Ts)-S×(273.2+TS) =612+2.2×(273.2+26.9) =1272 mv =1.27 v Eg(0)=1.21 ev 绝对误差：1.27－1.21=0.06（ev） 相对误差：