以偏轴发光照射实现具有光瞳滤波效果的接触窗相移图罩之模拟与研究.PDF

以偏轴发光照射实现具有光瞳滤波效果的接触窗相移图罩之模拟与研究.PDF

  1. 1、本文档共10页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
以偏轴发光照射实现具有光瞳滤波效果的接触窗相移图罩之模拟与研究

以偏軸發光照射實現具有光瞳濾波效果 的接觸窗相移圖罩之模擬與研究 研究生:胡國信 指導教授:羅正忠 博士 國 立 交 通 大 學 電子工程學系 電子研究所碩士班 摘 要 隨著積體電路元件尺寸的微縮化 ,微影製程的線幅寬度(feature size)需求也越來越小,因此一張圖罩(photo mask)內所被要求容納 的圖案數量也大大的增加 。以目前製程所處的65奈米節點而言 ,製作 邏輯元件的佈局設計裡的接觸窗層的圖罩將會是對微影製程非常嚴 苛的一大挑戰 。為 了達成用一張圖罩同時曝出具有各種間距(pitches) 的密集接觸窗以及孤立接觸窗 ,我們將會需要高數值孔徑的低K1值 成 像技術,以及各種的解析度增強技術(Resolution Enhancement Technologies)。 I 解析度增強技術中的偏軸發光照射(Off-Axis Illumination)將 有助於密集接觸窗的曝光成像 ,然而也將使大間距接觸窗的聚焦深度 (depth of focus)減少以及圖罩偏差因子(Mask Error Enhancement Factor)變大。著眼此點,我們企圖將超聚焦容忍度加強曝光技術運 用在偏軸發光照射上。於是我們先找出一組合適的光瞳濾波法的參 數 ,利用此組參數找出最佳的圖罩調變法的參數 ,接著用近似圖罩調 變法的方式來產生適用於偏軸發光照射的接觸窗圖案 。但是這樣子的 圖案其製程視窗並不甚理想 ,必須再經過一些參數上的調整 。最後 我 們將圖案簡化成像是反散條(anti-scattering bar)及緣邊型 (Rim-type)相移圖罩綜合體的設計,其製程視窗可和搭配傳統照明方 式的緣邊型相移圖罩相比擬 。除 此之外 ,用此種設計搭配偏軸發光照 射時 ,在投射光瞳平面上所成的頻譜影像與緣邊型相移圖罩搭配傳 統 照明時所成的頻譜影像非常相似 都, 具有超聚焦容忍度加強曝光技術 的光瞳濾波效應,能將聚焦深度大幅的提昇。 II The Study and Simulation of the Contact-Hole Pattern Phase Shifting Mask with the Benefit of Lens Pupil Filters by Off-Axis Illumination Student :Guo-Xin Hu Advisor :Dr. Jen-Chung Lou Department of Electronics Engineering and Institute of Electronics National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan Abstract With the shrinkage of the dimensions of integrated circuit devices, the feature size required in the photolithography is getting smaller and smaller. As a consequence, the amount of pattern that one photomask containing is g

文档评论(0)

xiaozu + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档