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有机发光器件中缺陷态行为表现-中国科技论文在线
光 电 子·激 光 第 13 卷 第 5 期 2002 年 5 月
Journal of Op toelectronics ·L aser V o l. 13 N o. 5 M ay 2002
有机发光器件中缺陷态行为表现
1 1 1 1 1, 2 1 3
吴春亚 , 熊绍珍 , 郝 云 , 陈有素 , 杨恢东 , 周祯华 , 张丽珠
( 1. 南开大学光电子所, 国家教育部光电子信息技术科学重点实验室, 天津 300071; 2. 五邑大学薄膜与纳米材料研究所, 广东
江门 529020; 3. 天津机电工业学校, 天津 300071)
摘要: 对有机发光二极管(OL ED ) 的 特性曲线, 用有内建电场 的修正 模型, 或陷阱电荷限制
I V E i F N
电流(TCL ) 模型进行了模拟分析, 均观察到缺陷态对器件特性的影响。对修正 模型拟合, 不是常
F N E i
数而是随电场变化的; 对满足 模型的 器件, 其 特性呈现类似于无机半导体器件中的“迟
TCL OL ED I V
滞回线”状, 而且随测试次数的变化呈现可恢复的变化。这些均说明OL ED 中存在着缺陷态。用缺陷态
上电荷填充状态的变化对上述现象进行了解释。
关键词: 有机发光二极管 ( ) ; “迟滞回线”效应; 缺陷态; 隧穿模型; 陷阱电荷限制电流
OL ED F N
(TCL )
中图分类号: TN 383 文献标识码:A 文章编号:(2002)
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The Action s of D efect sta tes in Organ ic L ight Em itting D iodes
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