染料无机半导体共敏化tio2纳米管阵列光电性能研究-凝聚态物理专业论文.pdf.docxVIP

研究生优秀毕业论文 西南交通大学 西南交通大学 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，同意学校保留并向 国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授权西 南交通大学可以将本论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、 缩印或扫描等复印手段保存和汇编本学位论文。 本学位论文属于 1．保密口，在 年解密后适用本授权书； 2．不保密≤使用本授权书。 (请在以上方框内打“妒) 学位论文作者签名： 评0适 指导老师签名： 日期： 二p心辛6杂4a 日期：矽侈争∥碍红终 万方数据 西南交通大学硕士学位论文主要工作(贡献)声明本人在学位论文中所做的主要工作或贡献如下： 西南交通大学硕士学位论文主要工作(贡献)声明 本人在学位论文中所做的主要工作或贡献如下： (1)选取了最佳的表面形貌二氧化钛纳米薄膜，通过无机化合物和染料敏化剂共同 敏化作用，获得染料敏化光伏电池相关参数的测试。 (2)实验测试，通过表面表征手段获得了敏化后良好的样品表面图，通过表面光电 压和光电性能测试手段获得了敏化前后光电性的差别。 (3)探索无机化合物kn2S3和染料敏化剂共同敏化二氧化钛光阳极，讨论并分析光电 性能。 (4)探索无机化合物MoS2和染料敏化剂共同敏化二氧化钛光阳极，讨论并分析其短 路电流、开路电压与转化效率等影响因素 本人郑重声明：所呈交的学位论文，是在导师指导下独立进行研究工作所得的成果。 除文中已经注明引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的 研究成果。对本文的研究做出贡献的个人和集体，均已在文中作了明确说明。本人完全 了解违反上述声明所引起的一切法律责任将由本人承担。 学位论文作者签名 专产甚差 日期： 2疗狮4园 万方数据 西南交通大学硕士研究生学位论文 西南交通大学硕士研究生学位论文 第1页 摘 要 电化学阳极氧法合成的Ti02纳米管阵列半导体材料拥有如下优点：表面形貌有序 度高、比表面积大和易被吸附。本文选择锐钛矿晶型结构Ti02纳米管阵列的半导体材 料做光化学光伏电池的光阳极，由于Ti02的禁带宽度为3．2eV，仅能吸收紫外光部分， 光电转化性能方面表现不好，因此考虑在纳米管阵列表面复合无机敏化剂和染料敏化 剂来增强光阳极光电性能。 In2S3，是III．Ⅵ族化合物，在室温下能以D相稳定存在，p．In2S3是一种禁带大约为2 eV左右的n型窄带隙半导体材料。采用连续离子层吸附与反应法，在Ti02纳米管阵列 半导体材料表面复合纳米颗粒In2S3，拓宽Ti02纳米管阵列半导体材料的光响应范围。 纳米颗粒IIl2S3导带位置高于Ti02纳米管阵列半导体材料，可以更好地将电子注入Ti 02纳米管阵列半导体材料中，有效地分离出电子空穴对减缓其复合，光电转换效率方 面表现出优良的效果。本文系统地研究了不同浓度前驱体溶液合成纳米颗粒In2S3对纳 米管阵列Ti02的影响，获得了O．1M InCl3溶液制备的光伏电池光电转化效率为1．08％。 进一步通过染料敏化剂N719和InzS3纳米颗粒共同在Ti02纳米管阵列半导体材料表面 复合，获得的结果为光照强度为100 mW／cm2条件下光电性能表现最好，达到短路电 流密度和转化率分别为19．18 mA／cm2和8．29％。 MoS2在地球中含量丰富，具有石墨烯二维层状结构，还具有石墨烯所不具备的天 然半导体带隙，其大小为1．2 eV～1．9 eV。MoS2属于P型窄带隙半导体材料，具体大 小由层数决定，可作为Ti02良好敏化剂。本文运用水热法，在Ti02纳米管阵列半导体 材料表面复合纳米材料MoS2，获得了光伏电池光电转化效率为1．47％。进一步通过染 料敏化剂N719共同敏化Ti02纳米管阵列半导体材料，获得的结果为光照强度为100 mW／cm2条件下，短路电流密度和转化率分别为8．76 mA／cm2和2．45％。 光伏电池经过两个修饰过程，首先由不同无机化合物敏化，再由染料敏化敏化剂提 高其光电性能。两种无机化合物具有不同能级位置的导带，表现出的光电性能也不同， In2S3导带所处的能级高于Ti02位置，导致较少的光生电子与染料或者电解液中的氧化 态分子相结合，获得的光电性能比较好；MoS2导带所处的能级低于Ti02位置，导致较 多的光生电子与染料或者电解液中的氧化态分子相结合，获得的光电性能不如前者。 关键词：染料敏化；光伏电池；二氧化钛；硫化铟；硫化钼；电子空穴对；光电性能 万方数据 西南交通大学硕士研究生学位论文 西南交通大学硕士研究生学位论文 第1I页 Abstract Hi曲ly ordered Ti02 nanotube arrays(TNTs)semiconductor m