第七章光刻发工艺a.pptVIP

* 第 七 章 光 刻 工 艺 前面工艺的遗留问题 a. 如何在一片硅片上定义、区分和制造出不同类型、 不同结构和尺寸的元件? b. 如何把这些数以亿计的元件集成在一起获得我们 所要求的电路功能? c. 如何在同一硅片上制造出具有不同功能的集成电路。 1、 氧化、扩散、离子注入、外延、CVD等一系列工艺都是 对整个硅园片进行处理，不涉及任何图形。 3、 图形转移技术：光刻与刻蚀 2、 在同一集成电路制造流程中,经历了一系列加工工艺后： 光刻工艺 ■ ? 概述 ■ ? 掩膜版 ■ ? 光刻机 ■ 光刻胶 ■ ? 典型的光刻工艺流程 参考资料： 《微电子制造科学原理与工程技术》第7、8章 （电子讲稿中出现的图号是该书中的图号） 一、概述 是指通过曝光和选择性化学腐蚀等工序将掩膜版上的 集成电路图形印制到硅片上的精密表面加工技术。 像纸上的感光材料 光刻胶 ? 胶卷（底片） 掩膜版 ? 曝光系统（印像机） 光刻机 ?? 暗室（小红灯） 光刻间（黄灯） ? 显影液 ? 定影液 光源 光阑 快门 掩膜 光刻胶 硅片 一个简单的光刻曝光系统示意图 （光刻、工序及说明） 1、光刻： (1) 利用旋转涂敷法在硅片表面上制备一层光刻胶; (2) 将一束光通过掩膜版对光刻胶进行选择性曝光; (3) 对光刻胶显影从而将掩膜版上的图形转移到硅片上。 2、工序： (1) 三要素：光刻胶、掩膜版和曝光系统（光刻机）。 (2) 目的：就是在二氧化硅、氮化硅、多晶硅和金属等薄膜 表面的光刻胶上形成与掩膜版完全对应的几何图形。这 样光刻胶就可以用作刻蚀下面薄膜时的掩蔽膜或用作离 子掺杂注入的掩蔽膜。 3、说明： 二、掩膜版 (2) 掩膜版的作用： a. 是IC设计与IC制造之间的接口与桥梁。 b. 决定了组成集成电路芯片每一层的横向结构与尺寸。 c. 掩膜版的数量决定了工艺流程中所需的最少光刻次数。 (3) 掩膜版的版图。所谓版图就是根据电路器件的几何形状 与尺寸，依据集成电路工艺的设计规则，利用计算机辅 助设计（CAD）软件所设计出的掩膜图案。 1、基本概念 （概念、版图设计、制版程序、基本结构） (1) 掩膜版： 包含着预制造集成电路特定层图形信息的模板. ■ 对于每一层版图，版图设计规则规定：允许的最小特征尺 寸、最小间隔、该层图形与其它层图形的最小覆盖，与它 下面层图形的最小间隔等。 2、版图设计规则主要解决两个问题： (1) 同一层几何图形之间的关系； (2) 不同层之间的相互关系。 说明 层次索引 接触孔（#14） 第一层金属（#15） 有源区（#3） 栅（#10） 7.1 接触孔尺寸（固定） 1.0?m × 1.0?m 7.2 最小接触孔间距 1.2?m 7.3 最小有源区对接触孔覆盖 1.2?m 7.4 最小接触孔与栅间距 0.8?m 最大接触孔与栅间距 1.5?m 对于标准器件性能文件 等等 一组典型的设计规则的例子 (1) 绘制版图 (2) 数据转换成图形发生器的专用文件（CIF文件、PG 文件等） 3、制版程序： a. 根据使用的光刻机，掩膜可以与最后完成的芯片上的图形 有同样的尺寸或是该尺寸的整数倍，后者在曝光时掩膜上 的图形被缩小。通常缩小倍数为 4 和 5。 说明 将电路设计数据转化为物理图形的装置 (3) 驱动和控制图形发生器，以一定的间距和布局，将 掩膜图形印制于掩膜材料上，进而制备出批量生产 用的掩膜版。 b. 制版工艺： 光学制版主要用于3 μm以上图形的制造。 可分光学制版和电子束制版。 b.要求：与玻璃粘附力强，针孔小，易加工成图形，机械 强度与化学稳定性好,分辨率高。 (1) 掩膜材料：主要是铬、氧化铬或氧化铁等金属或金属氧化 物薄膜。 a. 作用：有选择的遮挡照射到硅片表面光刻胶膜上的光。 厚度几十～几百纳米。 (2) 基版材料：玻璃、石英。 ? 要求：在曝光波长下的透光度高，热膨胀系数 与掩膜材料匹配、表面平坦且精细抛光。 4、掩模版的基本结构 a. 图形尺寸准确，符合设计要求； b. 整套掩膜版中的各块版应能依次套准，套准误差应尽可能小； c. 图形黑白区域之间的反差要高； d. 图形边缘要光滑陡直，过渡区小； e. 图形及整个版面上无针孔、小岛、划痕等缺陷； f. 坚固耐用，不易变形。 (3) 对掩膜版的质量要求 掩膜版上形成图形后，图形可 通过与数据库对比检查进