碲镉汞红外焦平面器件热失配应力研究-中国科学院上海技术物理研究.PDF

第27卷第6期 红外与毫米波学 报 Vo1．27，No．6 2008年12月 J．Infrared Millim．Waves December，2008 文章编号：1001—9014(2008)06—0409—04 碲镉汞红外焦平面器件热失配应力研究 李言谨， 何 力， 杨建荣， 丁瑞军， 张勤耀， 胡晓宁， 王建新， 倪云芝， 唐红兰， 曹菊英， 王正官， 吴 云， 朱建妹 (中国科学院上海技术物理研究所，上海 200083) 摘要：采用有限元分析方法研究了碲镉汞红外焦平面器件在低温下由于不同热膨胀系数引起的热失配应力，提出 了两种焦平面器件结构，可以有效地降低热应力，并应用于实际器件的制备，明显提高了碲镉汞焦平面器件的可 靠性． 关 键 词：红外焦平面；HgCdTe；热应力；可靠性 中图分类号：0472 文献标识码：A STUDY ON THERMAL MISMATCH STRESS oF HgCdTe INFRARED FoCAL PLANE ARRAY LI Yan—Jin，HE Li， YANG Jian—Rong， DING Rui-Jun， ZHANG Qin—Yao， HU Xiao—Ning， WANG Jian—Xin， NI Yun-Zhi， TANG Hong-Lan， CAO Ju—Ying， WANG Zheng—Guan， WU Yun． ZHU Jian—Mei (Shanghai Institute of Technical Physics，Chinese Academy of Sciences，Shanghai 200083，China) Abstract：Thermal mismatch stress for HgCdTe infrared focal plane array was analyzed by finite elements method．Accord— ing to the analyzing results，two configurations of infrared focal plane array were proposed to reduce the thermal mismatch stress effectively．The reliability of HgCdTe infrared focal plane array was raised obviously． Key words：infrared focal plane array；HgCdTe；thermal stress；reliability 是都没给出具体的做法．本文基于现有的焦平面器 引言 件工艺，采用有限元分析方法研究了碲镉汞红外焦 碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面器件一般采用碲 平面器件在低温下的热失配应力分布特征，提出了 镉汞光伏列阵与硅读出电路(Si)通过倒装焊技术互 两种焦平面器件结构，可以有效地降低热失配应力， 联，再粘接到宝石片(A1 O ，sapphire)或陶瓷基片 这两种结构已分别用于256 X 1和256 X 256中波 上．由于这几种材料热膨胀系数的差异，探测器在较 HgCdTe焦平面器件的制备，器件经受高低温循环的 低的温度下工作，通常在80～90K，就会在材料内部 可靠性显著提高，取得了良好的应用效果． 产生应力，随着焦平面规模的增加，这种由于热失配 1 计算模型 引起的应力会造成碲镉汞材料的损伤或互联的失 效，严重影响了焦平面器件的可靠性．国外主要几家 1．1 结构模型