金属有机化学气相外延生长1310nm偏振无关混合应变-物理学报.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 2$ ! %%# ! ， ， ， ;NO +2$ MN + ! ?PQP*RPA %%# （ ） !%%%1$=%B%%#B2$ ! B#21%2 9-/9 HL6D-9 6DMD-9 $%%# -SC5 + STG + 6NQ + 金属有机化学气相外延生长!!# $% 偏振无关混合 应变量子阱半导体光放大器研究! ）） ） ） ） ! ! ! 马 宏 朱光喜 陈四海 易新建 !）（华中科技大学光电子工程系，武汉 #$%%# ） ）（华中科技大学电子与信息工程系，武汉 #$%%# ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %%$ ! !’ %%# $ ( 采用低压金属有机化学气相外延设备进行了!)$ * 压应变量子阱材料、张应变量子阱材料和混合应变量子阱 ! 材料的生长研究 通过 射线双晶衍射和光致发光谱对生长材料进行测试和分析 基于四个压应变量子阱和三个 + , + 张应变量子阱交替生长的混合应变量子阱（ ）结构有源区，并采用 斜腔脊型波导结构以有效抑制腔面反 #-.$/. 0 射，经蒸镀减反膜后，半导体光放大器光纤1光纤小信号增益达!)2 34，在!(%—!$#% 5* 波长范围内偏振灵敏度小 于% )’ 34 + 关键词：偏振无关，应变量子阱，半导体光放大器，减反膜 ： ， ， ’(( #(%6 ’(22 (%7 其是大张应变量的材料生长仍然是一个难点+ 本文 !) 引 言 主要集中在张应变量子阱结构材料的生长研究上+ 在分别获得高质量的压应变和张应变量子阱材料 行波半导体光放大器（ ）在光网络中具 后，进行混合应变量子阱材料的生长研究 /.1689 + 有广泛的应用前景，可以作为发射机的后置放大、接 收机前置放大、线路放大等；基于半导体光放大器 ) :8;7 材料生长 （ ）形成光开关矩阵、波长转换器、光上下话路复 689 ［— ］ 用等器件和子系统! # + 高增益、高饱和输出功率、 材料生长用的设备是7:-87 公司生产的?1 偏振无关性是光网络对689 提出的基本要求，为提 型低压金属有机化学气相外延（ ）设 !(%