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第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 第三章 静电场 将 代入上式,得 定义电位移矢量 ,则 介质中高斯定理的积分形式 曲面 S 所包含的自由电荷的量有等于 所以 上式对于任意的 V 都成立。当 时,有 介质中高斯定理得微分形式 是自由电荷的密度 介电常数 相对介电常数 : 介电常数: 方程 3.40 称为物质的本构方程。 例题:半径为 a ,介电常数为 的球形电介质内的 极化强度为 式中的 k 为常数。 (1) 计算极化电荷体密度和面密度; (2) 计算电介质球内的自由电荷体密度。 解: (1) (2) 3.3 静电场基本方程 3.3.1 静电场基本方程的表达形式 积分形式 微分形式 本构方程 (各向同性的线性电介质) 3.3.2 分界面上的边界条件 1. 电位移矢量的法向分量 构造一个穿过界面的圆柱体, 其底面 平行于界面,且 其高 趋近于零。 使用 2. 电场强量的切向分量 使用 构造一个穿过界面的矩形, 长为 的边平行于界面, 长为 的边垂直与界面, 且 趋近于 0 。 例 3.4 所以 当介质 1 与介质 2 都是线性且各向同性时,有 如果两种介质的分界面上,没有自由电荷,那么 所以 (静电场中的折射定理) 3. 标量电位的边界条件 如果介质 1 是导体,介质 2 是电介质,那么边界 条件可以简化为 3.4 泊松方程和拉普拉斯方程 由 引进了电位函数 。 所以,上面的两个公式是等价的。 静电场微分形式的基本方程有两个。除了旋度,还有 散度, 将 代入上面的散度方程可得 对于均匀的电介质而言, 是常数,所以可以拿到微分 符号外面来,因此有 定义拉普拉斯算子 使用拉普拉斯算子可得 上面的方程称为泊松方程。 在直角坐标系中 在柱坐标系中 当泊松方程的右边为 0 时,简化为拉普拉斯方程。 在球坐标系中 第一类边值问题:已知边界上电位的值; 第二类边值问题:已知边界上电位的法向导数; 第三类边值问题:一、二两类边值问题的混合。 不论是泊松方程还是拉普拉斯方程,它们都是微分 方程。要求得这类方程的确定的解,必须要有相应 的边界条件。根据边界条件的不同,可将求解静电 场电位的问题分为以下三类。 3.5 唯一性定理 满足泊松方程或拉普拉斯方程和给定边界条件的解, 是给定静电场的唯一解。 3.6 镜像法 3.6.1 平面镜像法 3.7 电容和部分电容 3.7.1 两导体之间的电容 两导体带等量异号的电荷 ,两者之间电压为 U 。 那么两导体之间的电容定义为 孤立电容:只有单个导体,其所带电量为 q 。以无穷 远点为参考点可以计算出该导体的电位 ,则孤立 电容为 3.8 电场能量 假设区域 V 中的初始的电荷密度为 0 ,最终的电荷 体密度为 ,电荷面密度为 。那么这个电荷密 度从无到有的过程会伴随着电场力做功。这一过程 中电场力所做的功就转变成最终所所形成的静电场 的能量。 假设 V 中各处的电荷密度是等比例变化的,即 t 时 刻 V 中的电荷密度为 那么初始时刻 ,最终时刻 。 假定最终由 形成的静电场其电位为 。那么由 形成的电场的电位就等于 。 那么,在 m 从 0 增加到 1 的过程中静电场对 中 的电荷所做的功为 这里 就是 t
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