Q31_0109000023C001低压低电容半导体保护器件.pdf

上海长园维安电子线路保护有限公司企业标准 Q31/0109000023C001 低压低电容半导体保护器件 2018-11-09 发布 上海长园维安电子线路保护有限公司发布 自我承诺 我司编写并公开的Q31/0109000023C001《低压低电容半导体保护器件》规定的内容符合国 家有关法律法规、强制性标准及相关产业政策的要求，并按照规定程序由企业法人代表批准发 布。 我司生产的产品符合本标准规定的各项技术要求，标准编号在相应的产品包装上明 示。 我司对声明公开信息的真实性、准确性、合法性负责，对本标准实施的后果承担全部法 律责任。 上海长园维安电子线路保护有限公司 2018-11-09 Q31/0109000023C001 技术指标1 指标名称： 反向工作电压 指标要求： 3.3V/5V/6V 测试方法名称： QT2图示仪VRWM测试电路 测试方法内容： 连接电路，是验证在规定的温度范围内，可施加在ABD两 端而不引起失效的最高电压。 技术指标2 指标名称： 钳位电压 指标要求： 19V/8.5V/85V 测试方法名称： 浪涌测试电路 测试方法内容： 连接电路，测试器件的基本单元的IO端子对地抗浪涌能 力和IO端子之间的抗浪涌能力，波形采用 8/20μs，Ri=2Ω。 技术指标3 指标名称： 响应时间 指标要求： 小于1纳秒 测试方法名称： 响应时间测试电路 测试方法内容： 连接电路，测试波形为1/60 ns ESD波形，测试电压 8kV（接触放电），测试时间零点至峰值电压的时间。 技术指标4 指标名称： 正向压降 指标要求： 小于1.5伏特 测试方法名称： 正向电涌电压测试电路 Q31/0109000023C001 测试方法内容： 连接电路，测试GND端对IO端压降，测试电流1mA。 技术指标5 指标名称： 静电放电抗扰性电压 指标要求： 大于8千伏 测试方法名称： 静电放电试验 测试方法内容： 试验等级Level 4，接触电压8 kV，在IO端与GND端之间 ，测试静电放电抗扰性电压VESD 技术指标6 指标名称： 最大反向漏电流 指标要求： 小于1微安 测试方法名称： QT2图示仪VRWM测试电路 测试方法内容： 连接电路，调节PS电压至最高反向工作电压VRWM，在此 电压下流过电流表A的电流即为反向漏电流IR。 技术指标7 指标名称： 击穿电压 指标要求： 大于1.2倍VRWM 测试方法名称： QT2图示仪VBR测试电路 测试方法内容： 连接电路，测试IO端对地击穿电压，测试电流1mA。 技术指标8 指标名称： 电容值 指标要求： 1pF/0.3pF/9pF 测试方法名称： 电容测试电路 测试方法内容： 连接电路，测试器件基本单元的IO端子对地电容，和 IO对IO之间电容，频率采用1MHz，0V偏压。