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Q31_0109000023C001低压低电容半导体保护器件.pdf

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上海长园维安电子线路保护有限公司企业标准 Q31/0109000023C001 低压低电容半导体保护器件 2018-11-09 发布 上海长园维安电子线路保护有限公司发布 自我承诺 我司编写并公开的Q31/0109000023C001《低压低电容半导体保护器件》规定的内容符合国 家有关法律法规、强制性标准及相关产业政策的要求,并按照规定程序由企业法人代表批准发 布。 我司生产的产品符合本标准规定的各项技术要求,标准编号在相应的产品包装上明 示。 我司对声明公开信息的真实性、准确性、合法性负责,对本标准实施的后果承担全部法 律责任。 上海长园维安电子线路保护有限公司 2018-11-09 Q31/0109000023C001 技术指标1 指标名称: 反向工作电压 指标要求: 3.3V/5V/6V 测试方法名称: QT2图示仪VRWM测试电路 测试方法内容: 连接电路,是验证在规定的温度范围内,可施加在ABD两 端而不引起失效的最高电压。 技术指标2 指标名称: 钳位电压 指标要求: 19V/8.5V/85V 测试方法名称: 浪涌测试电路 测试方法内容: 连接电路,测试器件的基本单元的IO端子对地抗浪涌能 力和IO端子之间的抗浪涌能力,波形采用 8/20μs,Ri=2Ω。 技术指标3 指标名称: 响应时间 指标要求: 小于1纳秒 测试方法名称: 响应时间测试电路 测试方法内容: 连接电路,测试波形为1/60 ns ESD波形,测试电压 8kV(接触放电),测试时间零点至峰值电压的时间。 技术指标4 指标名称: 正向压降 指标要求: 小于1.5伏特 测试方法名称: 正向电涌电压测试电路 Q31/0109000023C001 测试方法内容: 连接电路,测试GND端对IO端压降,测试电流1mA。 技术指标5 指标名称: 静电放电抗扰性电压 指标要求: 大于8千伏 测试方法名称: 静电放电试验 测试方法内容: 试验等级Level 4,接触电压8 kV,在IO端与GND端之间 ,测试静电放电抗扰性电压VESD 技术指标6 指标名称: 最大反向漏电流 指标要求: 小于1微安 测试方法名称: QT2图示仪VRWM测试电路 测试方法内容: 连接电路,调节PS电压至最高反向工作电压VRWM,在此 电压下流过电流表A的电流即为反向漏电流IR。 技术指标7 指标名称: 击穿电压 指标要求: 大于1.2倍VRWM 测试方法名称: QT2图示仪VBR测试电路 测试方法内容: 连接电路,测试IO端对地击穿电压,测试电流1mA。 技术指标8 指标名称: 电容值 指标要求: 1pF/0.3pF/9pF 测试方法名称: 电容测试电路 测试方法内容: 连接电路,测试器件基本单元的IO端子对地电容,和 IO对IO之间电容,频率采用1MHz,0V偏压。

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