窄禁带稀磁半导体二维电子气的拍频振荡!-物理学报.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 (( ) ， ， ， KFC -(( VF - W28XE5XY ) （ ） !9%3)3(( 3$’)9( R.1R S+TQU.R QUVU.R $) .7B* - S7Y6 - QFI - 窄禁带稀磁半导体二维电子气的拍频振荡! ）） ） ） ） ） ） ） ） ! # ! 朱 博 桂永胜 仇志军 周文政 姚 炜 郭少令 褚君浩 张福甲 !）（兰州大学物理系，兰州 $% ） ）（中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室，上海 ’% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ( ) ’ ( ! 通过对调制掺杂的 型 第一类量子阱中磁性二维电子气磁阻拍频振荡的研 * +, ./ 0* 123 +, ./ 12 -’ - !) - -% -$ 究，发现温度、栅压的变化都会引起磁阻拍频节点位置的变化- 从对拍频的分析中，可以将依赖于栅压的456785 自 旋 轨道分裂和依赖于温度的巨大塞曼分裂区分开来 9 - 关键词：磁性二维电子气，自旋分裂， 交换相互作用，拍频 6:9/ ： ， ， ， !## $!$ $!!. $!$; $%) 度以下， 交换作用对有效 因子的贡献就会超 6:9/ ! 引 言 过带电粒子的内禀有效 因子 在足够低的温度 !J ! ! - 下，方程（）右端第二项可以达到很大的值，而使有 ! 近年来，为实现自旋场效应晶体管的有效自旋 效 因子获得极大增长 因此，在外加磁场下，导带 ! - 注入，人们对 0* 基稀磁半导体中的交换作用进行 电子的塞曼分裂能很可能会超过费米能级，导致电 了广泛研究，在稀磁半导体中，最重要的因素是导带 子产生完全自旋极化- 电子和局域磁矩之间的6:9/ 自旋交换相互作用，由 如果将窄禁带稀磁半导体和非磁性半导体结合 于