电工电子技术课件 963_25第6章.ppt

每字段是一只 发光二极管 — 低电平驱动 数码管 1. 共阳极 a b c d e f g — 高电平驱动 2. 共阴极 a b c d e f g a e b c f g d com com 二、光电二极管 1．符号和特性 符号 特性 u i O 暗电流 E = 200 lx E = 400 lx 工作条件： 反向偏置 2. 主要参数 电学参数： 暗电流，光电流，最高工作范围 光学参数： 光谱范围，灵敏度，峰值波长 三、变容二极管 工作条件：反向偏置 特点：是结电容随反偏电压的变化而变化 主要用在电视机、录音机、收录机的调谐电路和自动微调电路中 。 四、稳压二极管 稳压管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管。 符号 工作条件：反向击穿 I/mA UZ /V O UZ IZ IZM + ? 正向 ? + 反向 ?UZ ?IZ 讨论 稳压管是怎么实现稳压作用的？ 回顾二极管的反向击穿时特性：当反向电压超过击穿电压时，流过管子的电流会急剧增加。 击穿并不意味着管子一定要损坏，如果我们采取适当的措施限制通过管子的电流，就能保证管子不因过热而烧坏。 在反向击穿状态下，让流过管子的电流在一定的范围内变化，这时管子两端电压变化很小，利用这一点可以达到“稳压”的效果。 稳压二极管的主要参数 1. 稳定电压 UZ 流过规定电流时稳压管两端的反向电压值。 2. 稳定电流 IZ 越大稳压效果越好，小于 Imin 时不稳压。 3. 最大工作电流 IZM P ZM = UZ IZM 5. 动态电阻 rZ rZ = ?UZ / ?IZ 越小稳压效果越好。 4. 最大耗散功率 PZM 学习与探讨 怎样用万用表测量二极管的好坏？怎样判断其阴极和阳极？ 为什么发光二极管必须正向偏置，而光电二极管却要反向偏置？ 已知两只硅稳压管的稳定电压值分别为8V和7.5V，若将它们串联使用，问能获得几组不同的稳定电压值？若并联呢？ 6.2 三极管 6.2.1 三极管的结构和分类 6.2.2 电流分配与放大原理 6.2.3 三极管的伏安特性及主要参数 6.2.1 三极管的结构和分类 晶体管（三极管）是最重要的一种半导体器件。 部分三极管的外型 一、结构 N型硅 B E C N型硅 P型硅 （a） 平面型 二氧化硅保护膜 N型锗 E C B P P （b）合金型 铟球 铟球 三层半导体材料构成NPN型、PNP型 N N P 发射极 E 基极 B 集电极 C 发射结 集电结 — 基区 — 发射区 — 集电区 emitter base collector NPN 型 E C B 各区主要作用及结构特点： 发射区：作用：发射载流子 特点：掺杂浓度高 基区：作用：传输载流子 特点：薄、掺杂浓度低 集电区：作用：接收载流子 特点：面积大 常见三极管的类型 P P N E B C 按材料分： 硅管、锗管 按结构分： NPN、 PNP 按使用频率分： 低频管、高频管 按功率分： 小功率管 500 mW 中功率管 0.5 ?1 W 大功率管 1 W E C B PNP 型 二、类型 6.2.2 电流分配与放大原理 一、晶体管放大的条件 1.内部条件 发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低 集电结面积大 2.外部条件 发射结正偏 集电结反偏 二、晶体管的电流分 配和放大作用 实验电路 mA mA IC EC IB IE RB EB C E B 3DG6 ?A 电路条件: ECEB 发射结正偏 集电结反偏 mA mA IC EC IB IE RB EB C E B 3DG6 ?A 1.测量结果 IB/mA 0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 IC/mA ?0.001 0.50 1.00 1.60 2.20 2.90 IE/mA ?0.001 0.51 1.02 1.63 2.24 2.95 IC/ IB 50 50 53 55 58 ?IC/ ? IB 50 60 60 70 (1) 符合KCL定律 (2) IC和IE比IB大得多 (3) IB 很小的变化可以引起 IC很大的变化。 即：基极电流对集电极电流具有小量控制大量的作用，这就是晶体管的放大作用。 2.晶体管内部载流子的运动规律 I CE IE I BE I CBO IB IC 1、发射区向基区扩散电子的过程： 由于发射结