硕士研究梨生开题报告.ppt

闭合场非平衡磁控溅射 电源控制器研究 主要内容介绍: 背景简介 与课题相关的技术背景 课题任务及内容 课题难点及解决思路 进度安排 一.背景简介 磁控溅射技术研究始于20世纪70年代，其中闭合场非平衡磁控溅射离子镀以其沉积的膜层均匀，致密，结合力强，其镀层易按要求设计，快速，低温，低成本，无污染等特性，而备受重视，并在近十年得到飞速发展。英国Teer 公司生产的UDP系列离子镀设备就是采用这一新技术研发成功的磁控溅射镀膜系统 ，它代表了磁控溅射镀膜技术的国际先进水平。目前，我国在这一领域尚处于跟踪阶段，通过技术合作，使整体设备制造本土化，技术开发自主化，有着十分重要的意义。 该技术对工艺的要求十分严格，其关键技术之一是为装置和工艺服务的供电电源及相应的自动化技术。参照Teer公司UDP工艺，本课题计划采用87C196KC单片机或TMS320C2812型DSP作为主控芯片，以UCC3895作为电源控制芯片，研究磁控溅射离子镀设备供电电源的控制系统。 二.UDP工艺原理及其对电源的要求 1．UDP工艺原理 UDP（Uniform Deposition and Plasma），即等离子体均匀气相沉积系统，是专为沉积硬质涂层而设计的一种磁控溅射离子镀系统，实质上是一种封闭非平衡磁控溅射离子镀技术。 其工作原理是：镀膜室抽至高真空后，充入放电气体氩气，在阴极（靶）上施加负电压，形成辉光放电，氩离子轰击靶材表面，具有初始动能的被溅射原子向工件迁移，在迁移过程中，部分被电离，并在基体负偏压的作用下，沉积于工件表面形成所需膜层。磁控溅射系统结构示意图如图-1所示。 2．UDP对靶电源和偏置电源的要求 在磁控溅射时，靶极上加负压，当靶极电压达到某一值时，气体开始起辉，电压降低，电流突然升高，并在阴阳极间产生辉光放电。气体放电地伏安特性曲线如图2所示。 当阴极电压增加到图中的A点时，气体被点燃。 BC段为正常辉光放电区，此区段虽放电稳定，但电流密度较小，无法实现磁控溅射离子镀膜的工艺要求。CD段为异常辉光放电区，这是一个异常的、不稳定的和强电流的放电区，具有很高的电流密度和功率密度，是磁控溅射离子镀膜工艺所需要的放电区。DE段为弧光放电段，此段工作电流极大，阴极离子溅射严重，是在异常辉光放电区工作的工艺所不允许的。 图-3为靶电源主电路所采用的一种拓扑方案。其主要技术参数有：输出电压：DC，200V—500V；输出电流：DC，0—15A；输出功率：约6KW；全桥开关频率：100KHz。 根据UDP生产工艺的要求，偏置电源应提供高频脉冲电压，其幅值和脉宽应随着工艺流程而按一定规律变化。图-4为偏置电源主电路所采用的一种拓扑方案。其主要技术参数有：全桥电路开关频率：100KHz；输出脉冲幅度：50V—500V，可控；输出脉冲宽度：200ns—2000ns,可控；输出脉冲频率：250KHz；电流：0—15A。 三．课题内容 1．任务 本课题的任务是：围绕UDP工艺对靶电源和偏置电源的要求，以图-3、图-4所示的电源主电路为拓扑，采用单片机或DSP为主控芯片，以UCC3895作为电源控制芯片，采用适当的控制策略和算法，研究磁控溅射离子镀设备供电电源的控制系统。 2．方案 ⑴ 控制策略和算法 全桥PWM控制DC/DC变换器的控制模式主要有电压模式、电流模式，电流控制模式又有平均电流模式和峰值电流模式等几种。 电压模式控制方法简单，容易实现，但动态性能和稳态性能都较差，只适用于一些要求不高的电压型电源。 平均电流模式具有以下一些特点： ①系统不需斜波补偿，工作稳定可靠； ②动态性能好、稳态精度高； ③抗噪声性能优越； ④适合于任何电路拓扑等。 峰值电流模式控制具有以下一些特点： ①系统稳定性好，响应速度快； ②控制环容易实现； ③固有的逐个脉冲限流功能； ④占空比大于50%时，工作不稳定，需要进行斜波补偿。 针对工艺对偏置电源的要求，结合主电路拓扑图-4，其控制策略如图-6所示。该电源分为两部分：全桥逆变整流部分，采用电压外环、峰值电流模式内环的双环控制，电压给定Ur由工艺曲线事先确定，通过上位机给出，以决定偏置电源的脉冲幅值；斩波逆变部分，采用由独立硬件生成或由MCU编程输出PWM波进行控制，用于在负载上得到脉宽可调的双向脉冲。 ⑵ 功能分配 由于开关器件工作于100KHz以上的高频，而目前适合使用的MCU的时钟频率有限，因此，整个控制系统全数字化还不太现实，故拟采用MCU和模拟控制电路相结合的设计思想，高频