基于Si3N4探针的单晶硅表面小线宽结构的摩擦诱导纳米加工-科学网.PDF

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基于Si3N4探针的单晶硅表面小线宽结构的摩擦诱导纳米加工-科学网

第 20 卷 第 6 期 (自然科学版) Vol. 20 No. 6 2014年12月 JOURNAL OF SHANGHAI UNIVERSITY (NATURAL SCIENCE) Dec. 2014 DOI: 10.3969/j.issn.1007-2861.2014.04.006 基于 Si N 探针的单晶硅表面小线宽结构的 3 4 摩擦诱导纳米加工 姚洋洋, 陈 磊, 郭 剑, 钱林茂 (西南交通大学 牵引动力国家重点实验室 摩擦学研究所, 成都 610031) 摘摘摘要要要: 针对传统纳米加工方法存在 的操作复杂和成本 昂贵等 问题, 提 出采用 以表面 自然氧化 层作为掩膜, 结合 Si N 探针扫描和 KOH 溶液后续选择性刻蚀 的摩擦诱导纳米加工方法. 基 3 4 于针尖半径对加工线宽影响的规律, 实现 了单 晶硅表面较小线宽沟槽结构 的加工. 在此基础 上, 通过研究沟槽深度随刻蚀时 间的变化规律, 确定了最佳 的刻蚀加工时间, 并详细研究了载 荷 以及针尖扫描次数对表面沟槽结构加工 的影响规律. 该方法无需专 门制备掩膜, 操作简单, 有望应用于加工功能表面织构、表面微 阀、微反应器及单 电子器件等, 为纳米结构的加工提供 了新途径. 关关关键键键词词词 : 摩擦诱导纳米加工; 选择性刻蚀; 氮化硅探针; 单晶硅 中中中图图图分分分类类类号号号 : TH 117.1 文文文献献献标标标志志志码码码 : A 文文文章章章编编编号号号 : 1007-2861(2014)06-0669-11 Friction-Induced Nanofabrication of Small Line-Width Structure on Silicon Surface Based on Si N Probe 3 4 YAO Yang-yang, CHEN Lei, GUO Jian, QIAN Lin-mao (Tribology Research Institute, National Traction Power Laboratory, Southwest Jiaotong University, Chengdu 610031, China) Abstract: Talking into account limitations of traditional nanofabrication approaches such as complicated manipulation and high cost, a new friction-induced fabrication method is proposed. With the native oxidation layer as etching “mask”, nanofabrication of silicon can be achieved by scanning with a Si N probe and subsequent selective etching in KOH 3 4 solution. By optimization of the tip

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